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oe1(光电查) - 科学论文

2 条数据
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  • 未掺杂Si<sub>0.8</sub>Ge<sub>0.2</sub>层经紫外纳秒激光退火后的成分与应变演变

    摘要： 对30纳米厚的Si0.8Ge0.2外延层进行了紫外纳秒激光退火（UV-NLA，XeCl激光器，308纳米波长，145纳秒脉宽）。文中描述并讨论了单脉冲UV-NLA后出现的多种状态，包括亚熔融态、SiGe层部分熔融与完全熔融，以及超出SiGe外延层的熔融现象。当能量密度达到约2.00焦耳/平方厘米及以上时，会形成具有强烈锗元素再分布的赝晶层。从均匀的Si0.8Ge0.2层开始，锗元素向表面偏析，在2.00焦耳/平方厘米条件下形成了锗含量高达55%的富锗表层。这种具有梯度成分的赝晶SiGe层及富锗表层可能具有重要应用前景，例如降低掺杂层的接触电阻。

    关键词： SiGe、赝晶、接触电阻、锗再分布、紫外纳秒激光退火

    更新于2025-11-14 14:32:36

  • 用于低温三维顺序集成栅堆叠的紫外纳秒激光退火

    摘要： 对于三维顺序集成的顶层，我们提出一种低温栅极优先工艺：先在475°C下沉积原位掺杂非晶硅层，随后通过紫外纳秒激光退火将其转化为多晶薄膜。实验证明，该工艺能在保证底层器件电性能的热预算范围内，为顶层晶体管获得低电阻多晶硅栅极。

    关键词： 紫外纳秒激光退火、多晶硅、三维顺序集成、低温栅极堆叠

    更新于2025-09-16 10:30:52