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具有增强水相兼容性的共价有机聚合物上的外围RAFT聚合，用于单线态氧的可控生成
摘要： 单线态氧的高效生成在医学、合成化学和材料科学等多个领域引起了广泛关注。本研究通过1-乙基-3-(3-二甲基氨基丙基)碳二亚胺(EDC)/4-二甲基氨基吡啶(DMAP)偶联法，将光敏剂四(4-氨基苯基)卟啉(TAPP)与9,10-蒽二羧酸(ADDA)交联，制备了一种共价有机聚合物(COP)。为提高其在多种溶剂体系中的溶解性，进一步采用可逆加成-断裂链转移(RAFT)聚合的"接枝于"方法，用亲水性聚合物聚(聚乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯)对COP进行修饰。该改性COP在红光照射下可通过ADDA形成内过氧化物来结合单线态氧。随后，COP中负载的单线态氧可通过光动力机制释放，或在110℃加热时通过内过氧化物的环逆转作用释放。本研究结果为通过光动力途径和单线态氧载体双重机制同步产生单线态氧开辟了新途径，展现出治疗缺氧肿瘤的良好应用前景。
关键词： RAFT（可逆加成-断裂链转移）、红光LED、光动力疗法、接枝聚合、单线态氧、共价有机聚合物、内过氧化物
更新于2025-09-23 15:19:57
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基于厚底层GaN层生长的633纳米InGaN红光LED，具有降低的面内残余应力
摘要： 本研究通过改变底层n-GaN层厚度，探究了残余应力对InGaN基红光发光二极管（LED）性能的影响。LED结构中的残余面内应力取决于底层厚度。增加底层n-GaN层厚度可降低残余面内应力，从而允许采用更高生长温度来提升InGaN有源区的晶体质量。当底层n-GaN层厚度从2微米增至8微米时，InGaN基红光LED的电致发光强度提高了1.3倍。采用8微米厚底层n-GaN层时，在20mA电流下实现了波长633nm的红光LED，其光输出功率为0.64mW，外量子效率达1.6%。LED外量子效率的提升可归因于底层GaN层中较低的残余面内应力。
关键词： InGaN、n-GaN层、残余应力、红光LED、电致发光
更新于2025-09-23 15:19:57