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基于氮化铝的自组装等离子体金和银纳米复合薄膜
摘要： 采用一步法薄膜生长技术，成功制备了含等离子体金、银纳米颗粒的氮化铝（AlN）基双相纳米复合薄膜。该类AlN基纳米复合材料在保持宽禁带半导体特性的同时，展现出可调谐的光学特性，包括禁带宽度、等离子体共振及复介电函数。根据生长气氛的不同，金属纳米颗?；嶙宰樽俺赡擅字?、纳米盘和纳米粒子等不同形貌，从而增强面内与面外的光学各向异性。红外透射测试既显示出AlN的特征峰，也呈现出源于等离子体纳米颗粒的宽透射窗口。这种独特的AlN-金属复合薄膜平台为调控宽禁带III-V族氮化物半导体的光学响应提供了新途径，可应用于红外传感或全光集成回路领域。
关键词： 等离子体金和银纳米内含物、红外传感、集成电路、氮化铝基混合薄膜、光学性能
更新于2025-10-22 19:40:53
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量子阱和量子点结构中光电子过程的纳米级工程，用于传感与能量转换
摘要： 先进的选区掺杂技术为量子阱（QW）和量子点（QD）光电子纳米材料中势垒与光电子过程的纳米级工程提供了有效手段，适用于红外传感和宽波段光伏转换。通过理论与实验研究了光电子动力学特性及器件性能。采用双量子阱结构中的非对称掺杂QW，通过电压偏置调控量子阱内的电子跃迁。这类QW器件展现出偏压可调的多色探测能力及远程温度传感功能。提出采用双极掺杂的QD结构来独立控制光生载流子寿命（光电流）与暗电流：该掺杂方式可在不改变决定暗电流的QD内电子布居数的前提下，提升QD周围纳米尺度势垒高度。双极掺杂QD器件实现了光电流显著增强，而其暗电流与对应单极掺杂参考器件基本相当。
关键词： 量子阱、光伏转换、红外传感、选择性掺杂、量子点
更新于2025-09-04 15:30:14