光诱导热处理对LiNbO?薄膜结构和形貌特性的影响

摘要： 在本研究中，采用旋涂技术实现铌酸锂的沉积过程。使用卤素灯在沉积过程中维持所需加热温度。对单晶硅片基底施加60-120°C的温度范围以确保高质量沉积。沉积薄膜随后在500°C退火温度下进行退火处理。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱对薄膜进行表征分析。结果表明基底温度对制备薄膜的结构和形貌特性具有显著影响，同时存在能使形貌与结构特性达到最佳组合的临界基底温度值。此外，较高的折射率数值表明该材料更适用于光学波导应用。