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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯?。?018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 非平衡格林函数方法：用于载流子产生与复合的Büttiker探针
摘要： 非平衡格林函数（NEGF）方法能够预测包括相干与非相干效应在内的纳米器件性能。处理非相干散射、载流子产生与复合过程时计算成本极高。本研究将数值高效的Büttiker探针模型扩展至除各类非相干散射过程外，还能涵盖复合与产生效应。通过量子阱III族氮化物发光二极管和反双极二维材料异质结，展示了该新方法预测纳米器件的能力。
关键词： Büttiker 探针模型、非平衡格林函数、载流子产生、纳米器件、复合
更新于2025-09-23 15:19:57
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基于开槽侧耦合盘形谐振器的可调谐等离子体系统及其在芯片级器件中的多种应用
摘要： 本信中设计了一种包含挡板和插入金属块的侧边开槽盘形谐振器（SSCDR）的亚波长金属-绝缘体-金属（MIM）波导结构。采用有限元法对该结构进行数值模拟与分析，其透射谱中出现了两个具有高透射率的尖锐传输峰及非对称线型法诺共振，这些现象源于带挡板的MIM波导所支持的宽连续态与SSCDR窄离散态之间的干涉作用。通过多模干涉耦合模理论（MICMT）对该结构进行理论分析，结果与仿真数据一致。此外，通过调节结构参数可操控法诺共振的波长位置。最终将该结构应用于纳米滤波器、折射率（RI）传感器、温度传感器及慢光器件，均展现出优异性能。该系统有望推动高度集成光子学的发展，并为纳米传感器、滤波器及慢光器件提供重要应用价值。
关键词： 法诺共振、金属-绝缘体-金属结构、纳米器件、等离子体激元学
更新于2025-09-23 15:19:57
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用于纳米器件应用的二维材料：利用激进缩放的晶体管
摘要： 当前纳米器件面临诸多难题，其中之一便是众所周知的短沟道效应（SCEs）。该效应会导致器件特性显著退化。为解决这一问题，自2000年以来学界便开始研究二维材料。本文揭示了针对器件应用开展二维材料研究的动机。
关键词： 过渡金属二硫化物、纳米器件、短沟道效应、金属氧化物半导体场效应晶体管、二维材料、石墨烯
更新于2025-09-12 10:27:22
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正交组装三维交叉堆叠金属氧化物半导体纳米线的合成
摘要： 三维堆叠的金属氧化物纳米线组装体可实现具有定制导电性、多孔结构和高比表面积的纳米器件。现有制备方法需经历制备纳米线、手动组装或转印等多步复杂流程，因而缺乏合成灵活性与可控性。本研究报道了一种通用正交组装策略，可可控构建三维多层交叉金属氧化物纳米线阵列。以氧化钨半导体纳米线为例，我们展示了聚环氧乙烷-嵌段-聚苯乙烯与硅钨酸复合纳米棒的自主正交堆积过程；后续煅烧后形成掺硅亚稳态ε相三氧化钨的三维交叉堆叠纳米线阵列。该纳米线堆叠框架还作为气体检测器实现了对丙酮的选择性传感。通过采用其他多金属氧酸盐，这种类木堆三维纳米结构的制备方法还可推广至不同掺杂金属氧化物纳米线，为调控其物理特性以实现多种应用提供了途径。
关键词： 气体传感、金属氧化物纳米线、纳米器件、三维堆叠、正交组装
更新于2025-09-11 14:15:04
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通过与介电微球协同作用增强WS?单分子层的二次谐波产生
摘要： 本文报道了通过与二氧化硅介电微球（MSs）协同作用，实现WS2单层材料光学二次谐波（SHG）信号20倍的增强。详细实验与模拟研究表明，该增强效应主要源于二氧化硅微球产生的激发光强提升和收集效率提高。研究还系统考察了二氧化硅微球尺寸对SHG增强的影响规律。此外发现SHG增强对微球周围折射率极为敏感，这为光子传感应用展现出重要潜力。本工作提供了一种低成本高效的SHG信号增强方法，并论证了基于混合介电结构的功能纳米器件具有巨大应用前景。
关键词： 二次谐波产生、纳米器件、WS2单层、非线性光学、光子纳米射流
更新于2025-09-10 09:29:36