经退火处理的GaN衬底上ZnO纳米棒形成的高度整流异质结

摘要： 我们研究了热退火对基于p型GaN衬底上单根n型ZnO纳米棒构成的纳米尺度p-n异质结电学性能的影响。通过化学浴沉积法在普通GaN衬底和聚焦离子束光刻局部图案化的衬底上制备ZnO纳米棒。利用扫描电子显微镜真空腔室中的纳米探针测量单根纳米棒异质结的电学特性。聚焦离子束光刻实现了ZnO的均匀成核，从而获得均匀生长的ZnO纳米棒。聚焦离子束形成的ZnO纳米棒与GaN衬底界面特定构型抑制了表面漏电流并改善了电流-电压特性。通过在氮气中退火结构进一步优化电学性能，该方法能抑制缺陷介导的漏电流并提高载流子注入效率。