通过室温反向金属辅助化学蚀刻制备的纳米级沟槽纹理β-Ga?O?及具有增强响应度的光电二极管

摘要： β-Ga2O3是一种新兴的宽禁带半导体，在下一代功率电子和光电子领域极具应用前景。过去几年中，基于β-Ga2O3的紫外光电探测器一直是研究热点。然而目前尚未有研究展示过通过微纳结构表面织构实现β-Ga2O3光电器件高效光管理的方法。我们首次报道了采用独特室温液相金属辅助化学刻蚀(MacEtch)技术制备的纳米沟槽织构化β-Ga2O3金属-半导体-金属光电二极管。虽然织构表面化学计量比显示约10%的氧缺位导致肖特基势垒高度降低和暗电流增大，但与未处理的平面表面相比，其响应度显著提升。MacEtch技术对β-Ga2O3适用性的实现，为该材料制备更精密的器件结构开辟了道路，且无需采用传统干法刻蚀可能造成的损伤。