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oe1(光电查) - 科学论文

13 条数据
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  • Cu<sub>1?x</sub>Fe<sub>x</sub>O纳米粉体的合成、形貌及光学与电学性能

    摘要： 通过简单的低温溶胶-凝胶法合成了系列Cu1?xFexO（x = 0、0.027、0.055、0.097和0.125）纯相及铁掺杂氧化铜纳米颗粒。采用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、能量色散X射线光谱（EDX）、漫反射光谱（DRS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、霍尔效应测试仪及电流-电压（I-V）特性等多种技术对样品进行表征。FESEM分析显示随着CuO中铁浓度增加，形成盘状结构且晶粒尺寸增大。EDX证实铁已掺入CuO晶格。纯相与铁掺杂CuO样品的FTIR结果确认了单斜晶系CuO的形成。通过漫反射光谱估算的光学带隙显示，铁取代导致带隙值增大?；舳饬勘砻魉醒肪氏謕型主导导电性，且载流子密度随铁掺杂量增加而降低。纯相与铁掺杂CuO纳米颗粒的I-V特性展现出肖特基二极管的整流行为。

    关键词： 缺陷态、霍尔效应、肖特基二极管、阳离子空位、铁掺杂氧化铜

    更新于2025-11-19 16:56:35

  • 结构富集溶胶-凝胶法制备的SnO2纳米粒子的磁相变

    摘要： 采用溶胶-凝胶法合成了纯SnO2及异价取代多晶Sn0.98?xLa0.02ZnxO2（x=0.02、0.04和0.06）样品。X射线衍射（XRD）图谱的Rietveld精修证实所有合成样品均具有单一四方金红石型（P mnm 42/）晶体结构。XRD分析显示，当Sn0.98?xLa0.02ZnxO2体系中x值从0增至0.06时，晶粒尺寸从14 nm减小至11 nm。透射电子显微镜进一步揭示，随着体系中Zn2+浓度增加，平均晶粒尺寸从纯SnO2的7 nm降至5 nm。场发射扫描电子显微镜的形貌研究表明，Zn浓度升高会导致纳米颗粒团聚。室温光致发光（PL）测量显示，La和Zn共掺杂进入SnO2晶格后，300-450 nm范围内的峰强度发生变化。PL峰解卷积揭示了(La,Zn)共掺杂SnO2基质中存在缺陷/空位和局部无序。此外，通过振动样品磁强计研究了磁性能，观察到非磁性La3+和Zn2+离子改性的SnO2呈现室温铁磁性（RTFM）。(La,Zn)共掺杂SnO2中观察到的RTFM主要源于氧空位，该结论也得到PL结果的支持。

    关键词： 里特维尔德精修，RTFM，二氧化锡纳米颗粒，缺陷态

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2018国际半导体会议（CAS）- 锡纳亚（2018.10.10-2018.10.12）] 2018年国际半导体会议（CAS）- 低电压应用中4H-SiC MOSFET设计中的界面陷阱效应

    摘要： 一项数值模拟研究考察了击穿电压为650V的4H-SiC MOSFET的电流-电压特性，该研究考虑了沟道区氧化物-半导体界面处的缺陷态分布。建模分析表明，对于这些低压器件，沟道电阻分量在不同电压偏置和温度下对决定MOSFET的比导通电阻（RON）起着关键作用。RON值在几mΩ×cm2量级。

    关键词： 数值模拟、功率器件、导通电阻、4H-SiC、缺陷态

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 伽马射线辐照对铟掺杂碲锌镉晶体的宏观效应与微观起源

    摘要： 研究了经60Co源2.7 kGy剂量γ射线辐照对掺铟碲锌镉（CdZnTe:In）晶体的影响。我们通过不同温度下的电流-电压（I-V）测试评估CdZnTe:In样品的"宏观"电学特性，并结合热刺激电流谱表征γ辐照诱导的电活性缺陷的"微观"成因。结果表明：室温体电阻率从原始样品的2.7×10^9 Ω·cm升至辐照样品的5.9×10^9 Ω·cm。由于这些宏观效应的微观成因与材料内部电活性缺陷相关，在CdZnTe:In晶体中识别出五个主要缺陷态（I、II、III、IV和V）。特别值得注意的是，γ辐照改变了这些缺陷态的陷阱浓度——例如I区浓度急剧降低。此外，γ射线辐照使EDD能级（V区）进一步加深，从原始样品的0.717±0.004 eV升至辐照样品的0.749±0.004 eV。通过鉴定导带底下方TeCd2+缺陷作为EDD能级的微观成因，该缺陷导致费米能级钉扎在禁带中央附近，从而解释了CdZnTe:In呈现高电阻率的特性。

    关键词： 高电阻率、电学性能、缺陷态、γ射线辐照、CdZnTe:In

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 具有主客体发光层多层有机发光二极管的数值模拟：缺陷态的作用

    摘要： 本研究提出了一种用于多层有机发光器件（OLED）电学与光学特性数值模拟的综合模型。该模型由三部分组成：载流子输运模型、激子模型以及计算亮度的后处理?？椤ＤＰ投杂谢阒械娜毕萏辛私２⒔湟敕匠烫逑?。为阐明缺陷态在此类器件中的作用规律，我们研究了一个由电子传输层和空穴传输层夹持的主体-客体发光层构成的多层OLED。将分析器件的电流密度与亮度计算结果与实验数据进行对比，发现考虑缺陷态后，模拟结果与实验数据具有良好的一致性。

    关键词： 主体-客体发光层、亮度、电流密度、有机发光二极管、数值模拟、缺陷态

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 镁在LiF:Mg,Ti热释光剂量计中的作用

    摘要： 掺镁钛的氟化锂（LiF:Mg,Ti）是应用最广泛的热释光（TL）剂量计。研究表明镁掺杂剂是热释光过程中的关键缺陷。除常见的F心缺陷外，光学吸收测量显示当LiF:Mg受电离辐射作用时，会出现380纳米（3.26电子伏特）和310纳米（4.0电子伏特）的镁相关吸收带，其成因尚未明确。本研究通过电子结构计算探讨了镁在LiF中诱导缺陷的作用。计算表明：镁间隙原子会引起局部晶格畸变，表现为邻近镁的两个相对氟原子各自平均位移0.6埃远离原位，而最近锂原子位移0.1埃。该缺陷在带隙中引入能捕获辐照产生过量电子的电子态，从而提升探测器效率；空穴则主要形成并捕获于具有镁3s轨道特征的能级中。此外，结果表明辐照可能同时引发邻近镁间隙原子的锂原子移除、锂原子被镁原子替代，或产生锂空位加镁替代缺陷——这些位于LiF禁带中的缺陷比镁间隙原子本身具有更高的热力学稳定性。

    关键词： 镁掺杂剂，LiF:Mg,Ti，热释光剂量计，电子结构计算，缺陷态

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 通过掺杂诱导的深陷阱态调控锰掺杂全无机卤化物钙钛矿量子点的载流子动力学

    摘要： 过渡金属离子掺杂已被证明能有效调控钙钛矿量子点（QD）的光致发光特性。然而，这不可避免地会在晶格中引入缺陷。随着锰浓度增加，锰掺杂剂的荧光量子产率（PLQY）先升高后降低。本研究通过时间分辨光谱技术探究了Mn掺杂CsPbCl3量子点中掺杂剂与缺陷态对光物理过程的影响，并采用密度泛函理论（DFT）计算分析了可能存在的缺陷态能级。我们揭示了Mn2+掺杂会形成深能级间隙缺陷（Cli）。初始量子点激子态的退激发过程是早期阶段（<100皮秒）内激子-掺杂剂能量转移（ET）与缺陷捕获之间的竞争，该过程决定了量子点的最终PLQY。本工作为所有需要高PLQY的新兴应用建立了可靠的材料优化指导准则。

    关键词： 光致发光、能量转移、锰掺杂、CsPbCl3、密度泛函理论计算、缺陷态、量子点

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 无需反溶剂工艺的Lewis碱环糊精自钝化钙钛矿实现高效发光二极管

    摘要： 金属卤化物钙钛矿作为下一代高品质照明和高清显示用发光材料的候选者备受关注。然而，在溶液法制备钙钛矿薄膜过程中不可避免会产生高密度缺陷，导致发光二极管（LED）的激子复合效率低下。本研究开发了一种简便新颖的自钝化策略，通过抑制钙钛矿薄膜中的缺陷形成来构建高性能LED。我们首次在钙钛矿前驱体溶液中引入1,4,8,11-四氮杂环十四烷（cyclam），该分子在旋涂过程中无需反溶剂处理，即可通过胺基与未配位铅离子的协同作用自发钝化CsPbBr3基钙钛矿的缺陷态。此外，作为离域体系，cyclam还具有促进激子传输的化学特性。该钝化策略使外量子效率（EQE）从对照器件的1.25%提升至cyclam钝化器件的16.24%。同时，缺陷钝化还有助于减少LED的退化路径并提升器件稳定性——在初始亮度100 cd/m2条件下，LED的预估寿命（T50）从0.9小时延长至127小时。这些发现表明引入cyclam能显著提升LED性能，该有效降低缺陷的策略也可应用于激光器、太阳能电池和光电探测器等其他钙钛矿基器件。

    关键词： 钙钛矿、自钝化、发光二极管、缺陷态、路易斯碱环四胺

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 分散溶液中六方主导型胶体硫化铜铟量子点的独特发光特性

    摘要： 通过混合金属二烷基二硫代氨基甲酸盐前驱体的注射法制备发光的六方主导型硫化铜铟（h-主导型CIS）量子点（QDs）。由于前驱体反应活性差异，该方法使CIS量子点在保持六方晶核结晶度的同时实现生长。光致发光（PL）光谱呈现双重发射（600-700 nm红光发射与700-800 nm近红外发射），这源于六方相（纤锌矿结构）h-CIS与四方相（黄铜矿结构）t-CIS量子点的共同贡献——即近红外发射和红光发射分别来自h-CIS量子点与共存的t-CIS量子点（h-CIS/t-CIS重量比约10）。后合成热处理增强了h-CIS及t-CIS量子点的PL强度，其中t-CIS量子点对热处理尤为敏感。通过成功分离h-CIS与t-CIS证实，该现象不受尺寸和组分影响，而是源于其晶体结构产生的施主-受主对态及缺陷浓度。本工作制备的h-主导型CIS量子点为调控三元Cu-In-S纳米晶光学特性提供了新技术。

    关键词： 缺陷态、铜铟硫化物、量子点、光致发光、晶体结构

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 超声喷涂法制备钙钛矿太阳能电池——有机阳离子对CH3NH3PbI3薄膜缺陷形成的影响

    摘要： 基于低无序度的甲基铵铅碘（CH3NH3PbI3）钙钛矿材料在光电子和光伏领域具有重要应用价值。本研究采用超声喷雾-雾化法成功制备了CH3NH3PbI3薄膜层，系统研究了其结构与光学性能变化以及光生电荷分离传输行为。表面光电压谱显示随着有机组分含量增加，深缺陷态密度显著降低。当有机组分含量达到最佳值时，测得的乌尔巴赫能量值从33.36 meV降至28.24 meV。通过喷涂法制备的最佳钙钛矿太阳能电池表现出16.54 mA/cm2的短路电流密度、0.99 V的开路电压和62.4%的填充因子，最终获得10.09%的光电转换效率。

    关键词： 超声喷涂钙钛矿，缺陷态，表面光电压

    更新于2025-09-16 10:30:52