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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
研究主题
  • 肖特基二极管
  • 氮化镓
  • 氧化锌
  • 碳化硅肖特基二极管
  • 击穿电压
  • 硅
  • 势垒高度
  • 碳化硅MOSFET
  • 热电子
  • AlGaN/GaN肖特基二极管
应用领域
  • 电子科学与技术
  • 光电信息科学与工程
  • 电气工程及其自动化
  • 材料科学与工程
  • 材料物理
  • 高分子材料与工程
机构单位
  • University of Virginia
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Northwestern Polytechnical University
  • Slovak University of Technology in Bratislava
  • Hunan University
  • Jadavpur University
  • imec
  • Shenzhen University
  • California Institute of Technology
  • Vilnius University
37 条数据
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  • [IEEE 2019年第十二届英欧中毫米波与太赫兹技术研讨会(UCMMT) - 英国伦敦 (2019.8.20-2019.8.22)] 2019年第十二届英欧中毫米波与太赫兹技术研讨会(UCMMT) - 110GHz氮化镓肖特基二极管三倍频器设计

    摘要： 本文提出了一种110GHz氮化镓肖特基二极管三倍频器。该氮化镓肖特基二极管及整个电路均制作在罗杰斯RT5880基板上，基板厚度为0.127毫米。采用HFSS和ADS软件完成了三倍频器的电路设计、仿真与优化。仿真结果表明，该三倍频器在110GHz频段可实现至少7%的转换效率，输出功率可达100毫瓦。

    关键词： 肖特基二极管，太赫兹三倍频器，氮化镓

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 金属-氧化铝-硅隧道二极管中固定电荷缺失的证据

    摘要： 本文报道了氧化铝隧道绝缘层中固定电荷密度（NF）与厚度的可控变化，并研究了其对金属-绝缘体-半导体（MIS）二极管肖特基势垒高度ΦB的影响。通过分析金属-氧化铝-硅电容结构发现：未退火沉积薄膜的NF为+1×1012 cm?2，而退火后薄膜的NF转变为-1×1012 cm?2。研究采用解析模型和数值器件物理模拟方法，基于NF与氧化铝厚度的变化预测ΦB的改变。值得注意的是，由莫特-肖特基法测得的ΦB值并未遵循这些静电模型的预测趋势。事实上，对于氧化铝厚度低于2 nm的二极管，NF似乎未产生可观测影响——这与类似厚度薄膜固定电荷的无接触测量结果相矛盾。ΦB的变化趋势更适用于偶极子模型解释。进一步研究表明：未退火的MIS二极管中，偶极子与氧化铝层厚度相关；而退火后的MIS二极管中，偶极子和ΦB基本保持恒定，与氧化铝厚度无关。这些数据为调控MIS隧道接触的ΦB提供了策略依据，对电接触设计具有重要启示。

    关键词： 原子层沉积、固定电荷、硅、势垒高度、肖特基二极管

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 在Si-IGBT/SiC混合技术中使用1.7 kV和3.3 kV碳化硅二极管

    摘要： 在硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块中采用碳化硅（SiC）二极管替代传统硅二极管具有显著优势，可大幅降低功率损耗。此外，碳化硅二极管的快速开关特性能够使硅基IGBT充分发挥其高速开关的潜力——这是传统硅二极管目前无法实现的。本研究展示了硅基IGBT/4H-SiC肖特基混合衬底（碳化硅混合衬底）的电学测试结果，这些衬底设计有两种额定电压：1.7千伏和3.3千伏。通过对比1.7千伏与3.3千伏的硅基IGBT/硅二极管衬底（硅衬底）在室温（20℃，RT）和高温（125℃，HT）条件下的表现，发现碳化硅混合衬底的开关损耗远低于硅衬底，但需采取必要措施抑制电流波形中的振荡现象。同时，本文还报道了器件有源区与终端区设计参数变化对1.7千伏/50安培二极管电性能的影响。

    关键词： 混合衬底、开关损耗、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、结终端扩展与浮空场限环（JTE和FLRs）、肖特基二极管、碳化硅（SiC）

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2019年IEEE国际电工复合系统与技术会议（ICOECS）- 俄罗斯乌法（2019.10.21-2019.10.25）] 2019年国际电工复合系统与技术会议（ICOECS）- 基于降低PAPR方法提升OFDM光载无线系统能效的研究

    摘要： 本文回顾并阐述了电磁能量转换技术及其相关突破的演进路线与历史里程碑，重点关注低密度能量收集技术。文中分析了环境射频（RF）能量的电磁源成因并进行探讨。如何有效利用和回收此类环境电磁能量，是当前及未来无线能量收集设备与系统实用化的最关键问题?；诜湓捶治觯疚幕雇频汲雎慊肪车绱拍芰渴占τ眯枨蟮囊蛔樾阅鼙曜加敕⒄箍剂?。这些标准可通过简单测量射频整流器件（如二极管和晶体管）的I-V非线性特性以及线性频率特性（S参数）来计算。随后依据所定义的性能标准对现有整流器件进行评估。最后，本文对不同器件技术可能实现的性能进行了技术展望与讨论。鉴于所提出的自旋二极管技术有望成为开发高效环境能量收集器的最具前景的器件平台，本工作特别着重介绍了这一颠覆性方案。

    关键词： 二极管、金属-绝缘体-金属（MIM）、自旋二极管、磁隧道结（MTJ）、能量收集、肖特基二极管、晶体整流器、环境射频（RF）能量、反向二极管

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 电子辐射对Zn/n-Si/Au–Sb和Zn/ZnO/n-Si/Au–Sb二极管电学参数的影响

    摘要： 本研究采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜作为中间层，以提高肖特基二极管的抗辐射性能。结构与光学测试表明，该ZnO薄膜具有六方晶系结构，呈现c轴择优取向，晶粒尺寸为20.39纳米，带隙宽度为3.15电子伏特。通过计算25、50和75戈瑞剂量电子辐照前后Zn/n-Si/Au–Sb和Zn/ZnO/n-Si/Au–Sb二极管的理想因子、势垒高度及串联电阻等电学参数，其参数偏差值显示ZnO中间层显著提升了二极管的抗辐射能力。

    关键词： 氧化锌，势垒高度，肖特基二极管，电子辐射，异质结

    更新于2025-09-24 00:09:26

  • [2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 美国佛罗里达州米拉马尔海滩(2019.8.19-2019.8.21)] 2019年IEEE国防光子学研究与应用会议(RAPID) - 集成室温VOx空气桥测辐射热计的多光谱等离子体完美吸收器

    摘要： 本文回顾并阐述了电磁能量转换技术及其相关突破的演进路线与历史里程碑，特别聚焦于低密度能量收集技术。分析了产生环境射频（RF）能量的电磁源，并探讨了其有效利用与回收问题——这对当前及未来无线能量收集装置与系统的实用性至关重要?；诜湓捶治?，本文还推导出满足环境电磁能量收集应用需求所需的一系列性能标准与发展考量。这些标准可通过简单测量射频整流器件（如二极管和晶体管）的I-V非线性特性及线性频率特性（S参数）进行计算。随后依据所定义的性能标准对现有整流器件进行了评估。最后，对不同器件技术有望实现的性能进行了技术展望与讨论。鉴于所提出的自旋二极管技术将成为开发高效环境能量收集器最具前景的器件平台，本工作特别重点介绍了这一颠覆性方案。

    关键词： 肖特基二极管、磁隧道结（MTJ）、能量收集、二极管、自旋二极管、反向二极管、金属-绝缘体-金属（MIM）、晶体整流器、环境射频（RF）能量

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2018第四届IEEE新兴电子国际会议(ICEE) - 印度班加罗尔 (2018.12.17-2018.12.19)] 2018第四届IEEE新兴电子国际会议(ICEE) - 沉积后退火ZrO?绝缘层对GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器性能的影响

    摘要： 成功制备了无退火和有退火ZrO2绝缘层的GaN金属-半导体-金属（MSM）紫外光电探测器。研究发现，氧化层退火后暗电流降低了3倍。GaN MSM光电探测器表现出较大的内部增益，这可通过考虑氧化层中存在空穴陷阱来解释。此外，ZrO2层退火后探测器增益降低和瞬态响应时间增加表明，退火步骤显著减少了浅陷阱态密度。值得注意的是，虽然所有状态响应都受退火影响，但光响应的快速分量受到较为严重的阻碍。本研究表明，降低暗电流并非改善光电探测器性能的唯一标准。相反，在评估光电探测器的整体性能时，还应考虑器件的瞬态响应（即器件带宽）以及漏电流和增益。

    关键词： 光响应、氮化镓、肖特基二极管、响应度、电流-电压特性

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 硫醇和二硫醇自组装单层功能化金/砷化镓基肖特基二极管的氮氧化物传感性能

    摘要： 本工作采用烷基硫醇功能化的GaAs基肖特基二极管制备了高选择性、低功耗的NOx气体传感器。通过浸渍法在n-GaAs衬底Au(111)肖特基接触表面形成自组装单分子层(SAM)。利用循环伏安法(CV)表征了不同末端基团、碳链长度(CN)、浸渍时间(tim)及烷基二硫醇浓度下SAM与Au(111)的吸附行为，采用紫外-可见分光光度计测定了NOx分子与SAM的相互作用。研究了器件在适宜条件下不同温度和NOx气体浓度中的传感性能，实验表明在25℃时对100ppm NO2和NO环境分别获得49.6和35.5的良好响应值，且在空气和氮气环境中表现出相似的传感特性，证实该器件是NOx传感应用的有力候选器件。

    关键词： 二烷基二硫醇、氮氧化物、气体传感器、肖特基二极管、砷化镓、自组装单分子层（SAM）

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2019年第21届欧洲电力电子与应用会议(EPE '19 ECCE Europe) - 意大利热那亚 (2019.9.3-2019.9.5)] 2019年第21届欧洲电力电子与应用会议(EPE '19 ECCE Europe) - 光伏系统并联架构的子?？榧恫罘止β蚀?

    摘要： 并联连接的太阳能光伏（PV）组件出现局部阴影时，会在光伏系统中引发严重的失配问题，从而显著影响整体输出功率。分布式最大功率点跟踪（DMPPT）被认为是解决并联光伏子?？槭湮侍獾挠行Х桨?。针对这一情况，本文提出一种基于子?？榧犊氐绺校⊿L）的差分功率处理（DPP）技术用于并联连接，以缓解失配效应。该技术通过均衡子?？榈缪估词迪质涮跫碌淖畲笫涑龉β省Ｍü抡娣治?，将所提技术与传统的（肖特基二极管）旁路技术进行了对比研究。

    关键词： 可再生能源系统，肖特基二极管，分布式电源，光伏

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 基于烷基二硫醇自组装单分子层修饰的金/铟镓磷肖特基二极管的高选择性一氧化氮传感器

    摘要： 本研究致力于制备基于金/磷化铟镓（Au/InGaP）肖特基二极管的高选择性氮氧化物（NOx）气体传感器。为增强传感选择性与响应性能，利用烷烃二硫醇自组装单层膜（SAM）的终端官能团特性与自组装属性，通过S-Au共价键修饰肖特基接触界面。研究中的SAM/Au/InGaP肖特基二极管通过半导体工艺与浸渍处理制备而成。本文系统考察了SAM碳链长度（CN）、浸渍时间以及二硫醇浓度的综合影响，并对比研究了不同温度与NOx浓度条件下二硫醇功能化Au/InGaP肖特基二极管的选性与传感性能。为获得最优NOx传感性能，采用循环伏安法（CV）研究了二硫醇单层膜在金表面的自组装特性。实验表明：所研制的1,10-癸二硫醇（DDT）/Au/InGaP器件在30℃下对100 ppm NO2/N2和NO/N2分别表现出16.5与7.2的响应值，且相较于其他传感气体对NOx展现出显著选择性。理论一阶动力学与热力学分析结果与实验瞬态及稳态传感数据相符。因此，该SAM/Au/InGaP肖特基二极管在NOx传感应用中展现出良好前景。

    关键词： 氮氧化物、气体传感器、肖特基二极管、自组装单分子层（SAM）、磷化铟镓、烷烃二硫醇

    更新于2025-09-12 10:27:22