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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016
研究主题
  • 肖特基二极管
  • 氮化镓
  • 氧化锌
  • 碳化硅肖特基二极管
  • 击穿电压
  • 硅
  • 势垒高度
  • 碳化硅MOSFET
  • 热电子
  • AlGaN/GaN肖特基二极管
应用领域
  • 电子科学与技术
  • 光电信息科学与工程
  • 电气工程及其自动化
  • 材料科学与工程
  • 材料物理
  • 高分子材料与工程
机构单位
  • University of Virginia
  • University of Electronic Science and Technology of China
  • Northwestern Polytechnical University
  • Slovak University of Technology in Bratislava
  • Hunan University
  • Jadavpur University
  • imec
  • Shenzhen University
  • California Institute of Technology
  • Vilnius University
37 条数据
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  • 蓝宝石衬底上经封帽退火处理的(0001)面氢化物气相外延氮化镓薄膜的拓扑结构与电学特性

    摘要： 鉴于需要通过退火激活GaN中注入的掺杂剂，本文采用原子力显微镜形貌分析研究了退火温度与时间、氢化物气相外延生长的GaN薄膜质量、退火?；げ阒柿俊⒁约氨∧び氤牡兹扰蛘拖凳钜觳挠ατ跋?，并对退火样品制备的肖特基二极管进行了电学测试。结果表明：退火过程中多边化小角度晶界形成的螺位错会引发热分解；表面附近会形成施主缺陷（可能是氮空位）；当退火温度更高、退火时间更长、退火?；げ闳扔αΩ笫保┲魅毕菪纬伤俣雀?。研究显示最大退火温度约为1300°C，在此温度下退火时间不应超过4分钟。

    关键词： 热分解、氮空位、肖特基二极管、原子力显微镜、氮化镓、退火

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 硅基集成准垂直GaAs肖特基二极管的温度特性研究

    摘要： 本文首次报道了集成于硅基上的太赫兹准垂直GaAs肖特基二极管的热特性表征。研究采用热反射测量技术对器件进行表征，获得了直径5.5微米二极管的加热/冷却温度曲线及二维温度分布图。通过测量提取了器件的热阻、阳极温度及热时间常数。为研究器件几何结构并提取未知材料热参数，建立了等效电路模型和有限元模型。同时采用电学瞬态法对器件进行表征，并对比了两种方法获得的温度与冷却瞬态过程。相比文献报道的其他太赫兹肖特基二极管，该准垂直二极管展现出相当的热阻值及更快的瞬态响应特性。

    关键词： 肖特基二极管、热特性表征、成像、热反射法、热参数、异质集成、结温

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • [2018年第七届计算机与通信工程国际会议（ICCCE）- 马来西亚吉隆坡（2018年9月19日-2018年9月20日）] 2018年第七届计算机与通信工程国际会议（ICCCE）- 快速电子辐照下碳化硅肖特基二极管的可靠性研究

    摘要： 已研究了快电子辐照对商用碳化硅肖特基二极管性能的影响。在室温下经3 MeV电子、10和15 MGy吸收剂量辐照后，英飞凌与意法半导体器件的正向电流密度-电压特性分别下降了4.6和8.2个数量级。该衰减与辐照诱发缺陷导致的串联电阻显著上升有关（英飞凌：1.45 Ω升至121×103 Ω；意法半导体：1.44 Ω升至2.1×10? Ω）。此外，英飞凌反向漏电流密度增加一个数量级，而意法半导体则降低约一个数量级。我们还观察到电子辐照导致理想因子增大（英飞凌：1.01至1.05；意法半导体：1.02至1.3）及饱和电流上升（英飞凌：1.6×10?1? A至2.5×10?1? A；意法半导体：2.4×10?1? A至8×10?1? A）。总体而言，就所研究特定器件而言，英飞凌比意法半导体具有更优的器件质量与抗辐射性能。

    关键词： 辐射，碳化硅，肖特基二极管，电子

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 基于吲哚并咔唑-噻吩的共轭大分子体系的二极管特性和金属离子传感性能

    摘要： 通过Sonogashira偶联反应合成了基于聚(吲哚并咔唑-噻吩)的高分子量聚合物(ICZP3)，并通过FTIR、1H NMR和13C NMR分析进行了表征。通过在主链单元的氮原子上引入烷基链，实现了其在有机溶剂中溶解性的增强。该聚合物表现出良好的热稳定性、有趣的发光性能以及可加工性。研究发现，电子传输单体单元的引入使其具有平衡的电荷密度，适用于二极管应用。其导电机制与空间电荷限制电流模型高度吻合，在组装成ITO/ICZP3/Al器件时还表现出肖特基型行为。ICZP3另一个引人注目的特性是其极高的Hg2+检测灵敏度。研究表明，ICZP3体系是半导体应用和传感领域极具前景的候选材料。

    关键词： 肖特基二极管，金属传感，有机半导体，聚(吲哚并咔唑-噻吩)

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [电气工程讲义] 信号处理与通信进展 第526卷（ICSC 2018精选会议录）|| 基于电流-电压和阻抗测量的石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管分析

    摘要： 我们通过电流-电压特性和阻抗分析研究了石墨烯-二氧化硅-p型硅肖特基结二极管的电学性质。从实验数据中提取了理想因子、整流比和串联电阻。观察到石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管串联电阻相对于0至2V正向偏压变化呈现线性响应。

    关键词： 硅，肖特基二极管，阻抗分析，石墨烯

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 通过交错肖特基区与栅控区实现高响应度与量子效率的石墨烯/硅光电二极管

    摘要： 过去几年，石墨烯/硅（G/Si）异质结构因其在光电二极管、光电探测器和太阳能电池等应用中的潜力而备受关注，研究重点日益聚焦于效率和性能提升。本研究探索了一种采用叉指肖特基与石墨烯/绝缘体/硅（GIS）复合结构的特定接触图案方案，通过实验验证了高灵敏度G/Si光电二极管的可行性。该设计方案在380至930纳米波长范围内实现了超过80%的外量子效率（EQE），其中850纳米处达到最大值98%，此时响应度峰值达635 mA/W，性能超越传统硅p-n结光电二极管。这种高效性源于二极管GIS区域对硅中光生载流子的高效收集机制。实验数据得到了二极管数值模拟的有力支撑?；谡庑┓⑾?，本研究提出了G/Si光电二极管"真实"有效面积的定义，这可能为基于G/Si的光电器件标准化提供参考依据。

    关键词： 交错接触、产生区、光电流、石墨烯、肖特基二极管、反型层

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 采用溶胶-凝胶法制备的Au/SnO?超薄膜二极管的肖特基特性

    摘要： 本信中通过控制前驱体溶液浓度，采用溶胶-凝胶法制备了厚度为3.5至5.0纳米的SnO?薄膜。通过电学与光谱学研究发现，量子限域效应和伯斯坦-莫斯效应影响了光学带隙与电子亲和能。此外，使用更薄的SnO?层时，Au与SnO?半导体间的势垒高度增加，从而呈现出显著的肖特基二极管特性。本研究可用于考察以SnO?沟道层为核心的超薄电子器件的尺寸缩放效应。同时，基于超薄SnO?半导体带隙展宽现象建立了通用能带图，该图谱有助于阐明量子限域SnO?半导体基光电器件中的载流子输运机制与光学特性。

    关键词： 二氧化锡，伯斯坦-莫斯效应，溶胶-凝胶法，量子限制，肖特基二极管

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 利用硅纳米柱阵列结构实现等离激元诱导热电子的近红外光探测

    摘要： 基于硅纳米柱阵列开发了一种等离激元诱导热电子光电探测器。该纳米结构通过反应离子刻蚀工艺制备，采用六方密堆积排列的单层自组装聚苯乙烯纳米球作为掩模。光吸收和热电子产生主要通过纳米柱侧壁金膜表面形成的表面等离激元极化激元增强。该器件的光响应覆盖1250-1600纳米两个通信波段，在1310纳米波长处达到2.5毫安/瓦的响应值。这种基于硅纳米柱的热电子红外探测器凭借其经济的大面积制备工艺，在硅基光子学器件集成方面具有重要应用潜力。

    关键词： 近红外光电探测器、肖特基二极管、热电子、纳米柱

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • [2018年IEEE国际半导体电子会议（ICSE）- 吉隆坡（2018.8.15-2018.8.17）] 2018年IEEE国际半导体电子会议（ICSE）- Au/ZnO肖特基二极管的物理建模与仿真

    摘要： 采用开源TCAD器件仿真软件Minimos-NT对金(Au)/氧化锌(ZnO)肖特基二极管进行模拟，研究了不同器件模型对ZnO肖特基二极管电学特性的影响。针对文献[1]报道的仿真电学特性实验结果及其差异原因进行了分析。为有效开展模拟，向软件输入了从各类研究论文和期刊文章中收集的ZnO材料参数，因此本研究也旨在建立完整的ZnO参数数据库，以助力该材料的后续仿真工作。

    关键词： 仿真，肖特基二极管，氧化锌，TCAD器件模拟器

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 采用砷化镓异质结双极晶体管技术实现的高线性度、8 GSa/s采样保持放大器

    摘要： 本文提出了一种高线性度全差分8 GSa/s采样保持放大器(THA)。该THA采用2μm砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺设计与实现，旨在GHz级时钟频率下实现采样系统的高速运行。该THA采用替代开关射极跟随器(SEF)作为开关级，并配合肖特基二极管以增强保持模式隔离度和高速性能。结合精心设计的输入缓冲器，实现了高线性度和优异的动态性能。实测小信号-3dB带宽和保持模式隔离度分别优于3.6GHz和40dB。原型电路在0.5GHz时获得43.9dB的无杂散动态范围(SFDR)，在4GHz第一奈奎斯特频率内总谐波失真(THD)平均低于-40dBc。该成果有望应用于未来直接采样系统中的宽带、高速、低失真模数转换器(ADC)。

    关键词： 非线性失真、跟踪保持、高速采样、肖特基二极管、砷化镓、单片微波集成电路

    更新于2025-09-09 09:28:46