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具有碳纳米管增强光响应的金属-绝缘体-半导体异质结构中的偏置可调光电电流
摘要： 制备并研究了具有整流电流-电压特性及可见光与近红外光谱感光性的金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属（MISIM）异质结构。研究表明，在接触区域添加多层碳纳米管薄膜可使光电流增强，在0.1 mW cm?2白炽灯光照下实现超过100 mA W?1的响应度。通过基于两个非对称背靠背肖特基势垒的能带模型，解释了MISIM异质结构在低偏压与高偏压下的光电特性：异质结正向电流源于多数载流子越过较低势垒的注入，而反向电流呈现两种导通机制——分别对应热/光生载流子的扩散以及多数载流子隧穿较高肖特基势垒。反向偏压下的两种导通机制形成两个平台区，其上光电流随光照强度线性增长，赋予探测器偏压可控的光电流特性。
关键词： 肖特基结、碳纳米管、光电导性、异质结构、MISIM
更新于2025-09-12 10:27:22
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基于化学气相沉积生长的CsPbBr<sub>3</sub>微晶条纹膜的双背接触肖特基结光电探测器
摘要： 近年来，一类新型卤化铅钙钛矿材料因其高响应度、优异探测率和快速光响应速度，在下一代光电探测器（PD）领域备受关注。特别是基于铯元素的全有机钙钛矿展现出更佳的光稳定性，近期在光电探测器应用中取得显著进展。为降低漏电流并提升光导型光电探测器的响应速度，本研究通过化学气相沉积（CVD）法直接在氧化铟锡（ITO）电极上生长CsPbBr3微晶（MC）薄膜，设计制备了背靠背肖特基结光电探测器。得益于CsPbBr3与ITO电极间增强的肖特基势垒高度和阈值电压，该探测器实现了高达104的开/关比、3.9 AW?1的峰值响应度、3.8 × 1012的探测率，以及0.22毫秒（上升时间）和0.45毫秒（衰减时间）的快速响应速度。此外，CVD法制备的高质量CsPbBr3微晶也显著提升了探测器的稳定性。
关键词： 微晶薄膜、肖特基结、光电探测器、溴化铯铅（CsPbBr3）、化学气相沉积
更新于2025-09-12 10:27:22
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基于肖特基结的热光伏-热电子器件
摘要： 提出了一种基于肖特基结的热光伏-热离子器件（SJTTD）的概念模型，该器件能同时将热发射电子和光子转化为电能，其中热离子转换器（TIC）的阴极与阳极/ p型硅界面形成肖特基结?？悸橇丝占涞绾尚вΓ⊿CE）对TIC的影响以及辐射复合对TPVC的影响。根据统计物理学理论，推导出SJTTD总功率输出密度和能量转换效率的解析表达式。通过优化两个子系统的关键参数，数值计算出最大功率输出密度和效率。此外，还提供了参数优化标准。比较了理想和非理想SJTTD的最佳工作状态。结果表明，选择高发射率的阴极材料可显著提升性能。该模型有助于开发高效混合电子器件。
关键词： 肖特基结，最佳准则，热光伏，热电子发射
更新于2025-09-11 14:15:04
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具有亚微米鳍宽的肖特基结垂直沟道氮化镓静电感应晶体管
摘要： 基于氮化镓的垂直晶体管已展现出其在高功率、高频电子器件中的卓越性能。本研究介绍了一种无需p型氮化镓和栅极介质即可工作的氮化镓静态感应晶体管（SIT），这是另一种形式的垂直氮化镓晶体管。通过光刻胶（PR）辅助平面化工艺并掌握干法刻蚀参数对平整PR表面的影响，实现了具有亚微米鳍宽的氮化镓SIT制备。该工艺的有效性体现在器件呈现类三极管输出特性：在1V漏极电压下实现0.65 kA cm?2的高电流密度与1.48 mΩ cm2的低导通电阻。研究还考察了鳍宽对氮化镓SIT电流密度及调制特性的影响，结果表明：采用亚微米鳍作为沟道进行尺寸缩减虽能增强电流调制能力，但耗尽区重叠导致的势阱升高会降低电流密度。这种兼具高耐压与低导通电阻特性的氮化镓SIT，有望成为下一代高功率、高频电子器件的理想晶体管方案。
关键词： 肖特基结、垂直沟道、亚微米尺寸、氮化镓、静电感应晶体管
更新于2025-09-10 09:29:36
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[电气工程讲义] 信号处理与通信进展 第526卷（ICSC 2018精选会议录）|| 光结型场效应晶体管的制备与表征
摘要： 本文制备了一种基于氧化锌量子点（QD）的光结场效应晶体管（光-JFET），用于紫外（UV）光谱检测。分析了紫外光照下氧化锌量子点与高功函数透明材料MoO?之间光结的效应。光照光功率密度充当JFET的浮栅。该器件采用叉指电极（银）作为基底，依次沉积氧化锌量子点层和MoO?制成。在10V偏压下，与金属-半导体-金属（MSM）型氧化锌量子点光电导体（暗电流为19.32μA/cm2）相比，光结结构的源漏极暗电流最低（2.79μA/cm2）。暗电流降低归因于氧化锌量子点与MoO?形成的结效应（整流比约347）。MoO?耗尽了电极间氧化锌量子点沟道中的载流子，从而降低暗电流并改善光电探测器性能。
关键词： 肖特基结，光电JFET，氧化锌量子点
更新于2025-09-10 09:29:36
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混合维度石墨烯/单根CdSe纳米带肖特基结中的势垒高度不均匀性
摘要： 制备了混合维度的石墨烯/单根CdSe纳米带(Schottky结)，并研究了肖特基势垒不均匀性对电输运机制的影响。当温度从300K降至80K时，理想因子增大而零偏压肖特基势垒高度(SBH)单调递减。这种温度依赖的电输运特性可通过肖特基势垒不均匀性解释，该不均匀性可能源于制备态石墨烯中不可避免的晶界、形貌起伏和电荷坑洼，以及CdSe纳米带表面的态密度和非均匀掺杂浓度。我们采用空间电势涨落模型分析导电机制，假设肖特基势垒呈高斯分布。在80-140K和140-300K区间内，肖特基势垒分布的标准差分别达到零偏压势垒高度平均值的13.06%和14.09%，表明典型石墨烯/CdSe纳米带结中存在显著的势垒不均匀性。本研究揭示了石墨烯/CdSe纳米带界面的基本物理特性，可为未来基于石墨烯的纳米器件设计与应用提供参考。
关键词： 石墨烯、非均匀性、硒化镉纳米带、肖特基结
更新于2025-09-10 09:29:36
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过量间隙锗诱导的异常钯扩散首次实验验证及机理研究
摘要： 这封信首次直接通过实验展示了钯异常扩散进入锗（Ge）的现象并提出了相关机制。我们的实验表明，在钯锗合金形成过程中过量的锗原子会间接引发大量钯原子的异常外扩散进入锗中。结果导致n型和p型锗上的钯锗合金都形成了类欧姆的肖特基结。为验证这一现象，我们采用第一性原理计算和计算机辅助设计技术模拟来评估锗中钯原子的电学影响。研究发现，锗中活化的钯原子会诱导产生大量位于禁带中部的体陷阱态，从而导致钯锗/锗结界面处陷阱辅助隧穿电流急剧增加。
关键词： 肖特基结，第一性原理计算，钯锗化物，技术计算机辅助设计，锗，陷阱辅助隧穿，费米能级钉扎效应
更新于2025-09-10 09:29:36
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KOH修饰的Ni/LaTiO2N肖特基结在可见光照射下高效还原CO2为CH4
摘要： 太阳能驱动二氧化碳转化为燃料的效率主要受限于高活化能垒和电子-空穴分离效率低下导致的缓慢反应动力学。本研究提出了一种协同策略来克服这些障碍。以KOH修饰的Ni/LaTiO2N光催化剂为原型，在二氧化碳还原中表现出优异性能，生成甲烷的速率为9.69 μmol g-1，一氧化碳为0.31 μmol g-1，约为LaTiO2N催化活性的5倍。这种显著提升源于以下效应：(1) Ni/LaTiO2N界面的肖特基势垒促进电子-空穴对分离；(2) KOH中的OH-作为碱性位点有利于将CO2活化为CO3 2-物种，显著改善二氧化碳还原的反应动力学；(3) OH-还充当空穴受体，促进水氧化过程中的质子释放。
关键词： 分子活化、肖特基结、二氧化碳还原、电荷分离
更新于2025-09-09 09:28:46
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调控电荷转移以促进光催化产氢：二维半导体优势与无贵金属肖特基结效应的集成
摘要： 光驱动光催化在缓解能源与环境?；矫嬲瓜殖鼍薮笄绷Α６杂诳杉馇穆惆氲继宥?，光吸收与强氧化还原能力之间存在不可调和的矛盾。本研究报道了一种通过调控半导体带隙并加速其电荷动力学来提升光催化性能的可预测设计：利用二维结构本质性增大半导体带隙，从而获得更高的光生电子-空穴对迁移分离效率与更强氧化还原能力；同时通过肖特基结驱动力加速电荷动力学过程。此外，肖特基势垒可防止无贵金属电子受体捕获的光生电子发生双重复合。研究还详细探究了光催化反应的能量转移过程，该过程与光催化机制高度吻合。
关键词： 光催化产氢、二维材料、肖特基结
更新于2025-09-04 15:30:14
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具有ZnO/Ag肖特基结的全面热释光电子效应增强型紫外探测器
摘要： 作为热释电效应与光电效应的耦合效应，热释光电效应已展现出对快速响应p-n结光电探测器（PDs）的卓越调控作用。本研究利用全面的热释光电效应，基于ZnO/Ag肖特基结设计并制备了自供电柔性紫外光电探测器。通过初级热释电效应，该自供电探测器在325 nm光照下的最大瞬态光响应度可达1.25 mA W?1，较稳态信号提升1465%。相对持续的次级热释电效应会削弱肖特基势垒高度，导致稳态光电流随功率密度增加而降低。当功率密度足够大时，稳态光电流会发生反向?；谀艽冀沂玖俗酆先仁凸獾缧вΧ运蔡臀忍獾缌鞯南嘤Φ骺鼗?。这些结果有助于进一步阐明热释光电效应对光电流的作用机理，同时也为优化自供电光电探测器的性能提供了潜在途径。
关键词： 紫外光电探测器、肖特基结、二次热释电效应、光热电效应、自供电
更新于2025-09-04 15:30:14