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oe1(光电查) - 科学论文

6 条数据
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  • EML研讨会简史：1980-2018年

    摘要： 继1840年代至1960年代期间个人发明家与团队针对电磁发射（包括轨道炮、线圈炮和直线电机等各方面）开展开创性研究之后，自1970年代起该领域兴趣激增。1980年至2018年间约每两年举办一次的国际电磁发射研讨会对此进行了大量讨论。本文简要描述并总结了该领域先驱者的早期工作及这些研讨会的情况。研讨会精选论文已收录于《IEEE磁学汇刊》与《IEEE等离子体科学汇刊》。

    关键词： 线性发射器、电磁发射器（EML）研讨会、轨道炮、脉冲功率、电磁（EM）发射器、线圈炮

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 特点

    摘要： 本文提出了一种新型带肖特基势垒的绝缘栅触发晶闸管（SB-IGTT），用于提升重复脉冲寿命和高di/dt特性。与传统的阴极短路MOS控制晶闸管（CS-MCT）不同，该器件特别嵌入了肖特基势垒以扩大有效导通区域，并增强短脉冲期间的电子-空穴等离子体扩散，这显著有助于缓解热集中、提高重复脉冲寿命，同时实现优异的di/dt特性。实验结果表明，所提出的SB-IGTT在5Hz脉冲频率下连续承受超过220,000次脉冲，其重复脉冲寿命比传统CS-MCT长10倍。同时，SB-IGTT实现了高达120kA/μs的di/dt，峰值电流接近10kA，di/dt提升了约20%。改进的重复脉冲寿命和优异的di/dt特性表明，所提出的SB-IGTT适用于重复脉冲功率应用。

    关键词： 高di/dt、肖特基势垒(SB)、绝缘栅晶闸管、脉冲功率、重复脉冲寿命

    更新于2025-09-23 08:57:39

  • 激光汤姆逊散射法测量的纳秒脉冲放电等离子体中电子密度与温度的时空分布

    摘要： 采用激光汤姆逊散射(LTS)技术测量了球-板电极构型下、气压为2×103 Pa的纳秒脉冲放电(NPD)氩等离子体中电子温度(Te)与电子密度(ne)的时空分布。当球形电极接负高压时，两电极间峰值电压为1520 V，电流为3 A。结果表明：利用脉冲电压上升沿可有效增强等离子体放电的电子密度。实测参数显示：Te从1.75 eV呈指数衰减至0.1 eV，ne在15-115 ns时段内从初始值快速增至3.94×102? m?3后降至1.17×101? m?3。在具有圆柱几何对称性的放电中，Te沿球到板方向递增而ne递减；在r=3.4 mm的径向方向上，Te与ne均从中心向边缘递减。电子密度最大值与最小值相差20倍，而电子温度仅相差约1.5倍。

    关键词： 等离子体诊断——干涉测量法、光谱法和成像技术，脉冲功率

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [IEEE 2019年第21届欧洲电力电子与应用会议(EPE '19 ECCE Europe) - 意大利热那亚(2019.9.3-2019.9.5)] 2019年第21届欧洲电力电子与应用会议(EPE '19 ECCE Europe) - 固态开关的激光触发

    摘要： 对激光触发晶闸管（SCR）的开通过程进行了理论与实验研究。通过测量晶闸管门极的光照分布并采用一维换相模型，可预测门极邻近初始导通区域的温度热点。研究将证明电控配置下开关特性相对于数据手册参数的提升：在低脉冲重复频率下，开通延迟降低达8倍，且通态电流上升率（di/dt）提高超过45倍，同时未损坏器件。

    关键词： 新型开关器件、晶闸管、光伏技术、开关损耗、粒子加速器、晶体管、脉冲功率、半导体器件

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 亚纳秒太瓦激光作用于金属薄箔靶产生的等离子体中热电子发射的综合诊断

    摘要： 高功率高能激光与物质相互作用会产生发射大量相对论电子的等离子体。本研究利用PALS千焦级激光装置，在400皮秒脉宽下向金属薄箔靶材发射强度约3×101? W·cm?2的光束来产生此类等离子体。为研究靶材周围水平面内的热电子发射，采用电子谱仪阵列记录靶材多角度等离子体电子发射情况。通过靶材探针测量中和逃逸热电子所带正电荷的靶材返回电流，实验测定穿过等离子体屏障逃逸的热电子总数。结合该诊断方法，采用飞秒干涉仪获取选定延迟时刻辐照靶材邻近区域的电子密度空间分布。干涉图显示靶材前方出现等离子体密度调制，并据此计算激光产生等离子体热分量所含电子数量。该电子数量与软X射线辐射通量观测结果相关，后者通过X射线条纹相机测得。

    关键词： 等离子体诊断 - 探针技术，脉冲功率，辐射与物质相互作用，等离子体诊断 - 干涉测量法、光谱学与成像技术

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 超晶格增强的硅软X射线和带电粒子探测器，具有纳秒级时间响应

    摘要： 硅探测器是惯性约束聚变与高能量密度物理应用中不可或缺的测量工具，这些领域需要纳秒级时间响应能力。软X射线（<1千电子伏）、紫外光及低能电子（<10千电子伏）能为快速变化的等离子体状态诊断提供关键信息，但降低探测器死层厚度对提升这些浅吸收粒子的探测响应至关重要。本文详细研究了硅探测器表面制备方法——包括离子注入参数调控及二维量子超晶格材料的引入——以制造对浅吸收辐射高度灵敏的快速探测器?？杉饬孔有?、电子响应度及脉冲X射线响应的测量结果表明：采用双层超晶格结构的探测器相比仅在受照面进行离子注入的同类探测器具有显著优势。

    关键词： 脉冲功率、惯性约束聚变、高能量密度物理、硅探测器、电子探测器、软X射线探测器

    更新于2025-09-09 09:28:46