- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
[2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市（2019年7月7日-12日）] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 一种用于分析等离子体光电混频器的单元不连续伽辽金方案
摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFT）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关的工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFT并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFT具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V耐压器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT实测射频开关截止频率fc达25GHz，经优化后fc有望突破500GHz，功率处理能力可达数十瓦量级。
关键词： 氧化锌，直流开关，截止频率，脉冲测量，栅极电荷，单片集成电路，射频开关，离子半导体，薄膜晶体管（TFT）
更新于2025-09-23 15:19:57
-
[2018年IEEE国际电子器件会议（IEDM）- 美国加利福尼亚州旧金山（2018.12.1-2018.12.5）] 2018年IEEE国际电子器件会议（IEDM）- 铁电Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf>中高速无滞回负电容的演示
摘要： 我们通过高速脉冲电荷-电压测量，报道了在薄铁电Hf0.5Zr0.5O2（HZO）薄膜中无迟滞负电容（NC）的实验观测结果。通过在HZO顶部添加薄Al2O3层来防止极化屏蔽，从而抑制了迟滞开关现象。我们观察到符合朗道理论的S形极化-电场依赖关系且无迟滞，这使得能够直接提取铁电HZO的NC建模参数。实验证明无迟滞NC在低至100纳秒的脉冲宽度下仍能实现，该限制仅由我们的测量装置决定。这些结果为铁电NC的物理机制以及使用铁电HZO的实际NC器件设计提供了关键见解。
关键词： 无滞后，Hf0.5Zr0.5O2，铁电性，负电容，脉冲测量，朗道理论
更新于2025-09-23 06:49:27
-
[2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络
摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFTs并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFTs具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（其中RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V额定器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT测得射频开关截止频率fc为25 GHz，经优化后预计fc可超500 GHz并实现数十瓦功率处理能力。
关键词： 单片集成电路、脉冲测量、氧化锌、栅极电荷、直流开关、离子半导体、射频开关、薄膜晶体管（TFT）、截止频率
更新于2025-09-19 17:13:59
-
[2018年精密电磁测量会议(CPEM 2018) - 法国巴黎(2018.7.8-2018.7.13)] 2018年精密电磁测量会议(CPEM 2018) - 脉冲电流分流器多场耦合仿真研究
摘要： 脉冲分流器具有结构简单、线性特性良好且稳定性强的特点，在脉冲功率技术和电磁领域应用广泛。本文采用多场耦合方法实现了脉冲分流器电磁场、结构场、流体场和温度场的耦合仿真，获得了其几何参数对分布参数的影响规律。与传统方法相比，该方法在热损耗、电磁力及形变计算方面具有更高的精度。对脉冲分流器工作状态的分析对其性能预测与优化具有重要指导意义。
关键词： 脉冲电流、仿真、脉冲测量、分流器（电气）、多场耦合
更新于2025-09-10 09:29:36