脉冲频率对电沉积法制备InSb薄膜理化性质的影响

摘要： 本研究聚焦于脉冲频率对电沉积InSb薄膜结构、光学及电学性能的显著影响（该因素常被忽视）。通过调控电沉积过程中的脉冲频率，可获得具有较高电导率的化学计量比纳米晶光滑薄膜，或富含锑元素、近乎绝缘的超光滑薄膜。研究发现：通过降低脉冲频率实现双倍相干畴尺寸缩减时，薄膜电阻率会提升六倍；进一步延长脉冲导通时间可使材料电阻率增至约540 Ω·cm?；贔TIR和SPV测试证实，所得材料具有小带隙和p型导电特性。此外，采用10 ms脉冲导通时间制备的化学计量比超光滑InSb薄膜兼具高光伏电压幅值、较长充电时间常数与较高电导率，是光电设备的优质低成本候选材料。