在Si(111)衬底上生长的水平GaN纳米线：催化剂迁移与融合的影响

摘要： 我们通过表面导向的气-液-固（SVLS）生长法，在硅(111)衬底上实现了水平生长的氮化镓纳米线（NWs）。系统研究了金/镍催化剂迁移与团聚对纳米线生长的影响。通过催化剂迁移自发形成了二维根状分支纳米线结构。此外，还观测到催化剂颗粒嵌入水平纳米线的新型现象，并将其归因于催化剂团聚导致的生长稳态破坏。透射电子显微镜（TEM）、光致发光（PL）和阴极荧光（CL）测试表明，这些水平纳米线具有单晶结构及优良的光学特性。本研究为水平纳米线生长机制提供了新见解，将有助于推动高集成度硅基III-V族纳米器件的发展。