[IEEE 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 中国深圳（2018.11.16-2018.11.18）] 2018年第九届薄膜晶体管计算机辅助设计国际会议（CAD-TFT） - 具有IGZO/In?O?双沟道结构的高迁移率金属氧化物薄膜晶体管

摘要： 在玻璃基板上成功制备了具有双沟道的高性能自对准顶栅薄膜晶体管。该双层沟道由In2O3和IGZO层组成。引入In2O3薄层显著提升了自对准顶栅薄膜晶体管的电学特性。相比而言，双沟道TFT展现出更高的场效应迁移率（34.3 cm2/Vs），优于单层a-IGZO TFT（10.2 cm2/Vs）。此外，我们获得了10?的开/关电流比、0.44 V/十倍频的陡峭亚阈值摆幅电压以及-3.35 V的阈值电压。这种性能提升可归因于In2O3薄层提供了更高的载流子浓度，从而最大化电荷积累，产生高载流子迁移率并将阈值电压转为负值。