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自对准分级ZnO纳米棒/NiO纳米片阵列用于提升GaN基光子发射器的高光子提取效率
摘要： 纳米技术的进步促进了氧化锌（ZnO）纳米结构的广泛应用。特别是具有梯度折射率变化的分级和核壳纳米结构，近期被用于提升光子发射器的光提取效率。本研究在波长430纳米的常规光子发射器（C-发射器）上展示了自对准分级ZnO纳米棒（ZNR）/NiO纳米片阵列。这些分级纳米结构通过低温两步水热法合成，其光学输出功率比C-发射器上的ZNR阵列高约17%，是C-发射器的两倍。该结果源于器件内部GaN层向外部的梯度折射率变化，以及光子发射器全内反射和菲涅尔反射的降低。
关键词： ZnO纳米棒/ NiO纳米片，光子提取效率，光子发射器，自对准，分级纳米结构
更新于2025-09-23 15:19:57
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可扩展制备几何可调自对准超晶格光子晶体，用于光谱可编程光捕获
摘要： 超晶格光子晶体（SPhCs）因其卓越的光学调控灵活性，在构建高性能器件方面展现出巨大潜力。从实际应用角度看，实现大面积均匀性且具备精确几何可控性的可扩展制备，虽被视为必要前提却仍是挑战。本研究开发了阳极氧化铝模板引导法，成功制备出迄今报道的最大面积（约500平方毫米）镍基SPhCs。通过周期性阳极氧化电场产生的双孔自对准效应，获得了镍基SPhCs的大面积均匀结构。同时，基于顺序开孔工艺，每组纳米孔阵列的孔深、尺寸及形貌等几何参数均可独立调控?；诙阅譙PhCs光吸收几何依赖性的实验观察，我们进一步制备出同时成形纳米孔与纳米凹坑的镍基SPhCs，不仅简化了制备流程，更实现了全向稳定的强光吸收（约95%）。光学模拟表明表面等离子体共振与腔共振共同作用导致了强光捕获效应。值得注意的是，该制备技术适用于不同周期的镍基SPhCs，从而实现光谱可编程的光吸收特性。以镍基SPhCs作为太阳能吸收体时，太阳能蒸汽发生系统的水蒸发效率与太阳能热电器件的开路电压分别提升了2.3倍和2.5倍。
关键词： 几何可调、表面等离子体共振、自对准、超晶格光子晶体、腔共振、阳极氧化铝模板
更新于2025-09-22 21:03:38
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波导阵列量子阱二极管激光器中800纳米处的频率梳生成
摘要： 一种电容-压电复合换能器结合了电容与压电两种机制，在实现机电耦合的同时获得了单一机制无法达到的更高品质因数Q值。该技术成功研制出工作频率1.2GHz、Q值>3000的氮化铝(AlN)环形轮廓模谐振器（其性能与迄今报道的1GHz以上d31模式纯压电AlN谐振器最高水平相当），以及Q值高达12000的50MHz圆盘阵列谐振器。其核心创新在于：通过微小间隙将压电谐振器与金属电极隔离，既消除了被认为会限制薄膜压电谐振器Q值的金属材料及金属-压电界面损耗，又保持了足够强的电场强度以维持显著压电效应。虽然Q值提升会导致机电耦合系数降低，但k2·Q乘积仍可实现整体增长。更重要的是，该电容-压电换能器允许设计者通过牺牲部分机电耦合来换取更高Q值，这为窄带射频(RF)信道选择滤波器（此类应用中Q值优先于耦合系数）的参数定制提供了有效手段。该方案无需直流偏置电压，且可采用更厚的电极来降低串联电阻而不增加谐振结构质量负载——随着谐振器及其支撑结构向更高频段发展，这一特性尤为重要。
关键词： 机电耦合、振荡器、微机械谐振器、自对准、小间隙、氮化铝、等效电路、品质因数、滤波器
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 德国慕尼黑(2019.6.23-2019.6.27)] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议(CLEO/Europe-EQEC) - 长环形激光器中的暗脉冲
摘要： 一种电容-压电复合换能器结合了电容与压电两种机制，在实现机电耦合的同时获得了单一机制无法达到的更高Q值。该技术成功研制出工作频率1.2GHz、Q值>3000的氮化铝(AlN)环形轮廓模谐振器（其性能与迄今报道的1GHz以上d31模式纯压电AlN谐振器最高值相当），以及Q值高达12000的50MHz圆盘阵列谐振器。其核心创新在于通过微小间隙将压电谐振器与金属电极隔离，既消除了被认为会限制薄膜压电谐振器Q值的金属材料及金属-压电界面损耗，又保持了足够强的电场强度以维持显著压电效应。虽然Q值提升会导致机电耦合系数降低，但k2·Q乘积仍可实现整体增长。更重要的是，该电容-压电换能器允许设计者通过牺牲机电耦合来换取Q值提升，为窄带射频(RF)信道选择滤波器（此类应用中Q值优先于耦合系数）提供了定制Q值与耦合特性的有效方法。该方案无需直流偏置电压，且可采用更厚的电极来降低串联电阻而不增加谐振结构质量负载——随着谐振器及其支撑结构向更高频率发展，这一特性尤为重要。
关键词： 机电耦合、振荡器、微机械谐振器、自对准、小间隙、氮化铝、等效电路、品质因数、滤波器
更新于2025-09-19 17:13:59
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P-1.9：自对准顶栅微晶硅薄膜晶体管的特性研究
摘要： 自对准顶栅微晶硅(μc-Si)薄膜晶体管(TFTs)被制备并表征。通过用低温SiO2替代高温SiO2，由于阻止了氢向空气中的扩散，自对准顶栅μc-Si TFTs的性能可以得到大幅提升。桥接晶粒(BG)结构首次成功应用于自对准顶栅μc-Si TFTs。通过在沟道内采用BG掺杂，自对准顶栅μc-Si TFTs的所有器件特性均得到改善。
关键词： 微晶硅，桥接晶粒，薄膜晶体管，自对准
更新于2025-09-10 09:29:36
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8.1: <i>特邀论文：</i> 增强型高架金属氧化物薄膜晶体管技术
摘要： 现报道一种采用退火诱导源/漏区的增强型高架金属氧化物（EMMO）薄膜晶体管（TFT）架构，从而进一步扩大了EMMO相对于传统TFT架构的优势。该改进包括：三掩模工艺使掩模数量减少，从而降低制造成本；底栅自对准工艺使寄生重叠电容减小，从而降低信号延迟；以及300摄氏度工艺，较低的温度使其与更广泛的柔性衬底具有更好的兼容性。
关键词： 退火诱导源漏极、自对准、高置金属氧化物、柔性衬底、铟镓锌氧化物、掩模数、薄膜晶体管
更新于2025-09-04 15:30:14
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全卷对卷工艺有机晶体管中的自对准金属电极
摘要： 我们仅采用连续卷对卷（R2R）技术，成功制备出具有自对准电极的有机底栅晶体管。这种自对准工艺可实现精确的<5微米层间套准精度——这在高速R2R环境中通常颇具挑战性，因为标准套准方法仅能实现毫米级精度，即便采用在线摄像头和自动卷材控制技术，最佳精度也仅能达到数十微米。改进后的套准精度能有效减小源/漏电极与栅极之间的重叠区域，这对降低寄生电容至关重要。整个工艺整合了蒸发镀膜、反向凹印、柔版印刷、剥离工艺、紫外曝光及显影等多种技术，并全部移植至连续R2R中试生产线。最终以卷对卷方式制备出总长约80米的器件，包含数千个晶体管。最后通过成本分析确定主要成本构成，并评估该工艺是否适用于有机晶体管的工业化生产。
关键词： 卷对卷、成本分析、自对准、印刷、有机晶体管
更新于2025-09-04 15:30:14