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oe1(光电查) - 科学论文

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  • ??化锑(Sb?Te?)生长研究表明:纳米尺度载流子畴的形成是与电子应用相关的内在特性

    摘要: Sb2Te3展现出大量具有基础研究价值的电子现象,使其成为电子相变存储单元、热电器件和三维拓扑绝缘体结构的理想材料。因此,制备具有明确电子特性的纳米结构与薄膜的精准调控至关重要。我们研究组此前通过溶剂热化学合成法,在六方相Sb2Te3纳米片中观察到对称红外畴区。所观测到的相对光学对比度间接关联着不同缺陷密度(载流子浓度)区域的形成。这引出了本研究要解决的两个核心问题:畴区形成是否仅限于特定纳米片生长过程?否!两种畴区的红外光谱是否真的遵循"类德鲁德"自由载流子响应?是!通过调控初始水浓度,我们促进了纳米片沿c轴方向生长,并将其形貌从片状调谐为八面体状。尽管生长模式从螺旋生长转变为逐层生长,但利用散射式扫描近场光学显微镜(s-SNOM)仍识别出相似的红外畴区。此外,我们在分子束外延(MBE)生长的薄层高质量晶体薄膜中也复现了对称红外畴区的形成。较小Sb2Te3纳米颗粒的归一化红外近场光谱显示两个畴区的等离子体频率存在相对偏移。这些发现证明:具有不同载流子特性的畴区形成是Sb2Te3的本征材料属性,可能对其所有电子应用产生重要影响。

    关键词: 红外近场显微镜,碲化锑,畴形成,范德华材料,过渡金属二硫化物,外延生长

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 基于单层WS2的室温极化激元发光二极管

    摘要: 通过激子与腔光子的强耦合产生的激子极化激元,被用于展示从类玻色-爱因斯坦凝聚到模拟哈密顿量模拟器和芯片级干涉仪等一系列基础现象及潜在应用。近年来,二维过渡金属硫族化合物(TMDs)因其较大的激子结合能、振子强度和谷自由度,成为在较高温度下实现激子极化激元的极具吸引力的平台。实现极化激元的电注入,既可作为实现电驱动极化激元激光器的前驱步骤,也可用于通信系统的高速发光二极管(LED)。在此,我们展示了一种在室温下工作的电驱动极化激元LED,采用单层二硫化钨(WS2)作为发光材料。测得的外量子效率约为0.1%,与近期报道的块体有机及碳纳米管基极化激元电致发光(EL)器件相当。在原子级薄半导体中实现室温电驱动极化激元LED的可能性,为在这些体系中实现无反转电驱动激光器以及基于范德华(vdW)材料的超快微腔LED迈出了有前景的一步。

    关键词: 室温、过渡金属二硫化物、激子极化激元、范德华材料、电驱动极化激元发光二极管

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [IEEE 2018年第43届国际红外、毫米波和太赫兹波会议(IRMMW-THz2018) - 日本名古屋(2018年9月9日-2018年9月14日)] 2018年第43届国际红外、毫米波和太赫兹波会议(IRMMW-THz) - SnS?单晶与垂直纳米结构中的载流子动力学:边缘的作用

    摘要: SnS2是范德华二维层状材料家族中的一员。其适中的带隙、环境稳定性及高载流子迁移率使其在太阳能转换应用中颇具吸引力。我们探究了将SnS2纳米结构化为垂直排列纳米片以增加表面积后,与块体SnS2相比对光注入载流子寿命和微观导电性的影响。增大的表面积和边缘的存在有利于提升SnS2光阳极的性能效率,但代价是表面和边缘态的载流子捕获增加。

    关键词: 太赫兹光谱学、范德华材料、二硫化锡、载流子动力学、纳米结构化

    更新于2025-09-11 14:15:04