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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 铬离子/聚乙二醇200诱导法制备椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料用于蓝宝石衬底化学机械抛光

    摘要： 磨料对蓝宝石衬底的化学机械抛光至关重要，为蓝宝石的平坦化提供了最关键的支持。本研究提出一种制备椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料的方法，以提高材料去除率并改善表面粗糙度，将其应用于蓝宝石衬底的化学机械抛光。通过铬离子/PEG200诱导法制备了椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料。本文探讨了椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料的合成过程：作为诱导剂的铬化合物通过化学键与两个SiO?颗粒结合，同时椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料通过氢键被PEG200包覆。X射线光电子能谱和飞行时间二次离子质谱结果表明发生了固态化学反应。接触角测试表明含椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料的抛光液具有良好的润湿性。由于椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料与蓝宝石衬底之间产生了优异的化学效应与机械效应协同作用，该磨料展现出卓越的化学机械抛光性能——具有更高的材料去除率和更低的表面粗糙度。研究建立了材料去除模型以描述椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料的抛光行为。

    关键词： 抛光机制，蓝宝石衬底，椭球棒状二氧化硅纳米复合磨料，化学机械抛光

    更新于2025-11-14 15:27:09

  • 通过等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长的β-Ga?O?薄膜

    摘要： 通过等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）技术在(0001)蓝宝石（Al2O3）衬底上生长了单斜相氧化镓（Ga2O3）。原位反射高能电子衍射（RHEED）监测与离位X射线衍射（XRD）测量证实其外延关系为[010](ˉ201)β-Ga2O3||[1ˉ100](0001)Al2O3。随着生长温度升高，晶体质量提升且表面更平整，其中730°C样品的(ˉ201)晶面XRD ω摇摆曲线半高宽（FWHM）和均方根粗糙度（RMS）分别达到最优值0.68°和2.04 nm。室温阴极荧光测试显示约417 nm的发射峰，该峰很可能源自施主-受主对（DAP）复合。

    关键词： CL测量，β-Ga2O3，蓝宝石衬底，PA-MBE，晶体质量

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日-7月13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 通过阴极发光技术测定蓝宝石衬底上ZnAl?O?层的深度分布

    摘要： 通过在c面蓝宝石衬底上沉积ZnO并进行热扩散工艺制备的紫外发射磷光体ZnAl2O4。通过阴极发光特性证实了薄膜中Zn和Al原子的偏析现象。退火100小时的ZnAl2O4薄膜阴极发光强度未出现饱和，但在8kV阳极电压下观察到退火200小时薄膜的紫外发射达到饱和。推测由于高温长时间退火导致Zn再蒸发，ZnAl2O4薄膜厚度变薄。截面场发射扫描电镜观察确认了薄膜的正确厚度及原子分布。场发射扫描电镜显示退火100小时样品的ZnAl2O4薄膜厚度约1μm，该厚度与电子在ZnAl2O4层中的穿透深度相匹配。

    关键词： 蓝宝石衬底，热分布，ZnAl2O4，紫外发射

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 一种改进的蓝宝石衬底室温硅太赫兹光电探测器

    摘要： 我们在蓝宝石衬底上设计并制备了室温下高性能的硅光电导太赫兹探测器。该探测器在300 GHz频率下具有最佳电压响应度6679 V/W，同时保持低电压噪声3.8 nV/√Hz，对应噪声等效功率0.57 pW/√Hz。实测器件响应时间约9微秒，表明其工作速度超过110 kHz。该探测器兼具优异性能、大尺寸（接收面积3微米×160微米）、结构简单、易于制造、与成熟硅工艺兼容以及适合大规模成像阵列制备等优势，为开发灵敏的室温太赫兹探测器提供了可行方案。

    关键词： 太赫兹、室温、蓝宝石衬底、硅、光电探测器

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 通过分子束外延在蓝宝石衬底上生长的热退火晶圆级六方氮化硼薄膜

    摘要： 已研究了高温退火（HTA）对蓝宝石衬底上生长h-BN薄膜晶体质量改善的影响。研究发现，采用常规分子束外延生长的BN因生长温度低于1000°C而呈现无序状态。通过1700°C高温退火，可在晶圆尺度获得热力学稳定的结晶态h-BN——此时原位生长BN薄膜中的原子扩散增强且结构缺陷密度降低。X射线衍射、拉曼散射和原子力显微镜测量证实了结晶态h-BN的形成。本工作证明HTA是实现晶圆尺度结晶h-BN薄膜的简便有效方法，这类薄膜在下一代二维器件和柔性III族氮化物光电器件中具有广泛应用前景。

    关键词： 晶体质量、分子束外延、蓝宝石衬底、h-BN薄膜、高温退火

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 界面和电流扩展对kA/cm2级电流注入下微LED热传输的影响

    摘要： 采用正向电压法、热瞬态测量和红外成像技术，研究了氮化镓（GaN）与蓝宝石衬底上微发光二极管（mLEDs）的三维热特性。在4 kA cm?2电流注入水平下，GaN衬底上的mLEDs结温比蓝宝石衬底低约10°C，且K因子幅值更小。热瞬态测量表明：由于高质量GaN晶体及界面结构，GaN衬底mLEDs的台面热阻、GaN外延层热阻以及GaN/衬底界面热阻均显著降低。红外热像显示GaN衬底mLEDs具有更低的总平均结温和更均匀的温度分布，该结果通过APSYS软件模拟得到验证。研究还探讨了mLEDs中横向与纵向的热传输机制。

    关键词： 蓝宝石衬底、微型发光二极管、氮化镓衬底、结温、热传输、红外成像、APSYS模拟

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 蓝宝石衬底上生长的AlN/GaN共振隧穿二极管中可重复的室温负微分电阻现象

    摘要： 谐振隧穿二极管（RTDs）是高功率太赫兹振荡器的候选器件，也是理解量子级联激光器、量子级联探测器等量子结构中量子限制效应与垂直输运特性的基础。本研究通过等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长的AlN/GaN RTD中实现了可重复的负微分电阻（NDR）现象。室温下观测到两个依次出现的可重复NDR区，其前导均为预共振态。首次在反向偏压下识别出具有温度负相关特性和类振荡特征的电流区，该现象被解释为量子阱内不同束缚态间弱谐振隧穿通道的复合贡献。测得峰谷电流比介于1.1至1.8之间，峰值电流密度范围达5-164 kA/cm2?；诮馕瞿Ｐ投运梅较虻男痴袼泶┦湓私卸勘碚鳎笛榻峁肜砺墼げ飧叨任呛?，证实了蓝宝石衬底氮化物体系实现精确量子输运调控的能力。该发现将推动基于蓝宝石、碳化硅乃至硅衬底的低成本氮化物单片微波电路与谐振隧穿结构的实用化进程。

    关键词： 蓝宝石衬底、AlN/GaN共振隧穿二极管、可重复的负微分电阻

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [IEEE 2018精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-2018年7月13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 采用超声焊接法形成的PJVS芯片焊料层观测

    摘要： 使用扫描声学显微镜观察了可编程约瑟夫森电压标准（PJVS）的硅芯片与用于热接触的蓝宝石衬底之间的InSn焊料层。这些焊料层是通过超声焊接法在多种条件下形成的。根据观察结果，估算焊料层中的空隙率约为20%–40%，与采用传统焊接法获得的约80%相比有显著改善。我们目前正在尝试测量这些焊接方法对PJVS芯片热接触的影响。

    关键词： 空隙，铟锡焊料，热接触，约瑟夫森电压标准芯片，超声焊接，蓝宝石衬底

    更新于2025-09-10 09:29:36