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[2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 深圳 (2018.6.6-2018.6.8)] 2018年IEEE国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 考虑迁移率幂律参数的有机薄膜晶体管1/f噪声分析
摘要： 基于载流子数涨落模型，分析了有机薄膜晶体管（TFT）在低漏极电压下的1/f噪声。载流子迁移率与栅压相关，并由幂律函数描述。迁移率幂律参数α决定了漏极电流噪声功率谱密度（PSD）SIDS与漏极电流IDS之间的关系，研究发现当α=1时SIDS∝I2DS。这与载流子迁移率恒定的MOSFETs中众所周知的规律不同：当SIDS∝I2DS时，霍尔迁移率涨落模型主导1/f噪声。
关键词： 载流子迁移率、薄膜晶体管（TFT）、分析模型、低频噪声
更新于2025-09-23 15:23:52
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基于n型和p型氧化物半导体的互补集成电路，用于平板显示器之外的应用
摘要： 氧化物半导体因其优异的电学性能、低温制备工艺、高均匀性及易于工业化生产的特点，在大面积薄膜电子器件制造领域极具吸引力。n型氧化物半导体（如InGaZnO）已高度成熟并实现商业化应用，广泛应用于平板显示器背板驱动电路。目前，开发基于氧化物半导体的低功耗电子电路仍亟需突破CMOS技术瓶颈。本文采用磁控溅射法制备的p型氧化锡和n型InGaZnO材料，成功构建了包括反相器、与非门、或非门、异或门、D锁存器、全加器以及7/11/21/51级环形振荡器（ROs）在内的多种CMOS电路。测试表明：反相器具有轨对轨输出特性，静态功耗低至8.84 nW，噪声容限高达约40%电源电压，成品率达98%，且标准偏差可忽略的高均匀性；逻辑门电路（与非/或非/异或）、D锁存器和全加器均呈现理想的输入-输出特性；环形振荡器展现出约1 μs的微小级延迟，以及大面积薄膜电子器件必需的极高均匀性与成品率。本研究为突破平板显示应用局限，构建基于全氧化物半导体的低功耗、大面积、大规模高性能透明/柔性CMOS电路提供了重要启示。
关键词： 互补金属氧化物半导体、氧化物半导体、薄膜晶体管（TFT）、集成电路
更新于2025-09-23 15:22:29
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采用ITO稳定ZnO薄膜晶体管实现透明电子学基础数字电路
摘要： 本文实现了基于n型氧化铟锡稳定氧化锌薄膜晶体管（TFT）的几种基本伪CMOS数字电路并进行研究。这些电路在整个可见光波段的光学透过率介于77%至92%之间。电学性能方面，在10V供电电压下，反相器、或非门、与非门、D锁存器和D触发器的操作频率均超过10kHz。此外，当供电电压为20V时，13级环形振荡器可以42kHz频率运行，其传播延迟时间为0.92微秒。在现有透明电路设计中，这些基于ITO稳定氧化锌TFT的电路展现出高速性能，有望作为中等频率要求透明电子器件的构建模块。
关键词： 透明电子器件、数字电路、氧化铟锡稳定的氧化锌、薄膜晶体管（TFT）、环形振荡器（RO）
更新于2025-09-23 15:22:29
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钝化层对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管正栅偏压应力稳定性的影响
摘要： 钝化（PV）层可有效提升非晶铟镓锌氧（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）的正向栅极偏压应力（PGBS）稳定性，但其相关物理机制尚不明确。本研究采用不同厚度的SiO2或Al2O3薄膜对a-IGZO TFT进行钝化处理，使器件在PGBS测试中表现更稳定。随着PV层厚度增加，由于PV层屏障效应增强，a-IGZO TFT的PGBS稳定性得到改善。当PV层厚度超过特征长度时，阈值电压几乎无偏移，表明本研究中a-IGZO TFT的PGBS不稳定性主要受环境气氛影响而非电荷俘获作用。SiO2 PV层的改善效果优于Al2O3，因其具有更小的特征长度（约5纳米），而Al2O3 PV层特征长度约为10纳米。
关键词： 薄膜晶体管（TFT）、正栅极偏压应力（PGBS）、钝化层、特征长度、非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）
更新于2025-09-23 15:21:21
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用于高分辨率AMOLED背板的垂直集成双堆叠氧化物TFT层
摘要： 我们开发了一种新型垂直集成的双层氧化物薄膜晶体管（TFT）背板，用于高分辨率有机发光二极管（OLED）显示器。第一层TFT采用体积累积模式，第二层TFT为单栅极背沟道刻蚀结构。实测迁移率和阈值电压分别高于10 cm2/Vs和0~1 V。两种TFT在偏压和温度应力下均表现出极高的稳定性。我们研制了宽度530微米、间距18.6微米的栅极驱动器，在900级输出末端仍能实现良好信号传输且无性能衰减，适用于1360 ppi的TFT背板。
关键词： 双层堆叠结构、氧化物、高清晰度、薄膜晶体管（TFT）、高分辨率
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过真空快速热退火控制In-Ga-Zn-O薄膜电阻及其在透明电极中的应用
摘要： 本研究发现，在真空快速热退火处理下，非晶铟镓锌氧化物薄膜呈现显著的电阻变化，而相同处理的氧化锌锡薄膜电阻变化微小?；诖耍狙芯刻骄苛朔蔷ь黠匦垦趸锉∧ぷ魑趸课∧ぞ骞芡该髟?漏电极的适用性?？杉夥段冢蔷ь黠匦垦趸镉敕蔷а趸课∧さ墓庋腹示?5%。此外，采用非晶铟镓锌氧化物源/漏电极的氧化锌锡薄膜晶体管展现出更优的电学特性：阈值摆幅更低（从369.96降至315.45 mV·dec?1）、迁移率更高（从28.47提升至36.187 cm2·V?1·s?1）、开关电流比更大（从1.25×10?增至3.56×10?）。正负偏压温度应力测试表明，该器件的稳定性与采用氧化铟锡源/漏电极的氧化锌锡薄膜晶体管相当。
关键词： Zn-Sn-O（ZTO）、In-Ga-Zn-O（IGZO）源/漏电极、薄膜晶体管（TFT）、真空快速热退火
更新于2025-09-23 15:19:57
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[2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 美国佐治亚州亚特兰大市（2019年7月7日-12日）] 2019年IEEE国际天线与传播研讨会暨USNC-URSI无线电科学会议 - 一种用于分析等离子体光电混频器的单元不连续伽辽金方案
摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFT）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关的工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFT并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFT具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V耐压器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT实测射频开关截止频率fc达25GHz，经优化后fc有望突破500GHz，功率处理能力可达数十瓦量级。
关键词： 氧化锌，直流开关，截止频率，脉冲测量，栅极电荷，单片集成电路，射频开关，离子半导体，薄膜晶体管（TFT）
更新于2025-09-23 15:19:57
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[2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络
摘要： 无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFTs并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFTs具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（其中RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V额定器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT测得射频开关截止频率fc为25 GHz，经优化后预计fc可超500 GHz并实现数十瓦功率处理能力。
关键词： 单片集成电路、脉冲测量、氧化锌、栅极电荷、直流开关、离子半导体、射频开关、薄膜晶体管（TFT）、截止频率
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE未来电子器件国际会议（IMFEDK）-日本京都（2019.11.14-2019.11.15）] 2019 IEEE关西未来电子器件国际会议（IMFEDK）-采用感应耦合等离子体溅射系统制备的高可靠性InGaZnO薄膜晶体管
摘要： 氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性及降低工艺温度的方法已成为严峻问题。为解决这些问题，我们研发了可独立控制射频（RF）功率以产生感应耦合等离子体（ICP）和施加于溅射靶材电压的感应耦合等离子体溅射设备。利用该设备，我们能在室温下沉积高密度氧化物半导体薄膜，并以此制备高可靠性薄膜晶体管。
关键词： 薄膜晶体管（TFT）、感应耦合等离子体（ICP）溅射、铟镓锌氧（IGZO）、可靠性
更新于2025-09-16 10:30:52
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低压柔性InGaZnO薄膜晶体管，采用溶液法制备的超薄AlxOy栅极
摘要： 在塑料基板上制备了以溶液法加工的超薄AlxOy为栅极的氧化铟镓锌薄膜晶体管（TFT）。研究了弯曲对栅介质漏电流密度和电容密度的影响。该器件具有低于1V的低工作电压、高于10^5的高开关电流比以及小于90mV/dec的低亚阈值摆幅。即使弯曲至11mm曲率半径时，器件仍能保持高性能。因此，此类器件在低功耗柔性电子领域具有重要应用潜力。
关键词： 1V操作、薄膜晶体管（TFT）、塑料基板、铟镓锌氧化物
更新于2025-09-10 09:29:36