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封装级联氮化镓场效应晶体管的仿真模型开发
摘要： 本文提出了一种基于实验提取参数的封装级联氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）简化行为模型。该研究通过组合一级金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）和二极管模型来模拟级联GaN FET，其中采用JFET模拟金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMT）。利用JFET模拟MIS-HEMT不仅能确保曲线符合S形转移特性，还可将MIS-HEMT阈值电压提取的夹断电压作为分水岭，用于区分寄生电容下降发生的位置。参数提取基于静态和动态特性，通过模拟所创建GaN FET模型的行为并将提取参数与实验测量值对比，验证了集成电路重点（SPICE）模型的仿真精度。通过实验测量和SPICE仿真分析验证了级联电容，结果表明低压MOSFET的电容对增大级联GaN FET总电容起关键作用。关断电阻机制有效描述了漏电流，采用双脉冲测试仪评估了所制级联GaN FET的开关性能，并使用LTspice仿真软件对比实验开关结果。总体而言，仿真结果与实验结果高度吻合。
关键词： 关断电阻、氮化镓场效应晶体管、金属-绝缘体-高电子迁移率晶体管、SPICE仿真、级联结构、行为模型、寄生电容
更新于2025-09-10 09:29:36
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[IEEE 2018年第91届ARFTG微波测量会议（ARFTG）- 宾夕法尼亚州费城（2018年6月15日-2018年6月15日）] 2018年第91届ARFTG微波测量会议（ARFTG）- 适用于射频Doherty放大器应用的高功率GaN HEMT稳健可靠行为模型
摘要： 本研究的目的是改进用于多尔蒂功率放大器（DPA）设计时的黑盒晶体管行为模型。本文提出一种方法论，在晶体管承受动态负载阻抗调制时增强模型的鲁棒性。该建模方法采用特定负载阻抗模式进行模型提取，并通过优化非线性描述阶数的选择来提升模型收敛能力?；诜窍咝允噶客绶治鲆牵∟VNA）的负载牵引测试系统对工作在AB类和C类的10W封装GaN晶体管进行了测量，这些测量数据被无缝用于模型提取。最后通过仿真不同DPA架构验证了模型的有效性、可靠性及鲁棒性。
关键词： 行为模型、多谐波失真模型、负载牵引、氮化镓晶体管、多尔蒂功率放大器、非线性矢量网络分析仪
更新于2025-09-09 09:28:46
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[工程技术学会第十二届欧洲天线与传播会议（EuCAP 2018） - 英国伦敦（2018年4月9-13日）] 第十二届欧洲天线与传播会议（EuCAP 2018） - 考虑高功率放大器非线性的自适应阵列系统行为建模
摘要： 我们开发了一种新型方法，用于对包含高功率放大器（HPA）非线性的自适应阵列系统（AAS）进行行为建模。该模型的提出旨在更准确地定义AAS的空间和频谱干扰特性。我们通过仿真实验验证了概念可行性，为后续实际验证奠定基础。在本演示中，模型通过模拟近场测量数据进行辨识——这些测量数据采集于天线输入通道处于典型激励状态时?；谡庑┎饬渴荩颐鞘侗鸪龃罅勘碚鞔犹煜呤淙氲浇〈涮匦缘募且涠嘞钍剑∕P）。随后利用这些记忆多项式阵列及近场到远场变换，获取任意输入条件下天线的远场方向图。研究展示了天线单元HPA非线性对远场方向图的影响，以及所开发模型对其预测的有效性。
关键词： 智能天线、自适应天线、行为模型
更新于2025-09-04 15:30:14