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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • 铂增强非晶态TiO2填充的介孔TiO2晶体用于盐酸四环素的光催化矿化

    摘要： 光催化剂的吸附能力和光活性在很大程度上决定了抗生素的矿化效率。本研究旨在增强抗生素的吸附与矿化效果，通过将非晶态TiO2填充至铂掺杂介孔TiO2晶体（MCs）的孔隙中，构建了分级多孔核壳结构。采用表面光电压谱、X射线光电子能谱等技术对制备样品的理化性质进行了表征，并以盐酸四环素为模型抗生素开展吸附与光催化实验。金红石-非晶同质结界面处掺杂的Pt纳米颗粒显著增强了内建电场，该强化电场促进了空穴向催化剂表面的转移，同时铂掺杂处理推动了非晶TiO2在MCs介孔中的生长。该优化方案在不增加非晶TiO2壳层厚度的前提下增大了催化剂比表面积，从而缩短了从核壳界面到催化剂表面的电荷迁移距离。多孔核壳复合材料的盐酸四环素吸附量与矿化效率分别是MCs的6.7倍和3.8倍。

    关键词： 晶体，非晶态二氧化钛，TCH，介孔二氧化钛，表面光电压，载流子

    更新于2025-11-14 17:04:02

  • 退火对热蒸发法制备的In2S3薄膜物理性能的影响

    摘要： 采用热蒸发技术制备的In2S3薄膜在不同温度硫气氛中退火后，其结构、成分、形貌及光学特性均被系统研究。掠入射X射线衍射图谱显示退火后的In2S3薄膜呈多晶形态且以立方结构为主。扫描电子显微镜观测到具有均匀分布晶粒的织构化表面，且晶粒尺寸随退火温度升高而增大。通过常规透射反射光谱及表面光电压测量确定了薄膜的光学参数。

    关键词： 表面光电压、退火、In2S3薄膜、结构、光学带隙

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 一种简便的室温合成具有增强光催化活性的三维珊瑚状硫化银纳米结构的方法

    摘要： 形貌是决定纳米材料化学、光学和电学性质的关键因素。本工作采用简便的室温沉积法合成了三维珊瑚状硫化银（Ag?S）纳米结构。通过追踪反应过程，我们提出了三维珊瑚状Ag?S纳米结构的形成机理。与尺寸相近的零维Ag?S纳米颗粒和一维Ag?S纳米线相比，三维珊瑚状Ag?S纳米结构在降解甲基橙（MO）时表现出更高的孔隙体积、光催化活性和循环稳定性。表面光电压测试、电化学阻抗谱和莫特-肖特基分析表明，相较于其他Ag?S纳米结构，三维珊瑚状Ag?S纳米结构具有最强的表面光伏响应、最长的载流子寿命和最高的载流子密度。

    关键词： 载流子寿命、表面光电压、硫化银、三维珊瑚状纳米结构、光催化活性

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 通过表面光电压测量研究钙钛矿太阳能电池开路电压损失的起源

    摘要： 提高开路电压（Voc）是进一步提升钙钛矿太阳能电池效率的关键策略之一。这需要深入理解光照条件下器件内部与载流子产生、传输、提取及其损耗机制相关的复杂光电过程。本研究揭示了甲基铵碘化铅钙钛矿（MAPI）基太阳能电池中Voc损失的重要来源——钙钛矿光活性层与PEDOT:PSS空穴传输层界面处不期望的正电荷（空穴）积累现象。我们发现表面光电压的厚度依赖性与器件性能存在强关联，阐明了界面电荷积累会导致载流子复合，从而使PEDOT:PSS/MAPI倒置器件的Voc大幅降低（50纳米厚器件比230纳米厚器件降低180毫伏）。相比之下，TiO2/MAPI界面处的正电荷积累会改变界面能带弯曲，使TiO2/MAPI常规器件的Voc升高（50纳米厚器件比230纳米厚器件提升70毫伏）。本研究为更好控制钙钛矿太阳能电池界面以进一步提升器件性能提供了重要指导。

    关键词： 太阳能电池，开路电压，钙钛矿，电压损失，表面光电压

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 超声喷涂法制备钙钛矿太阳能电池——有机阳离子对CH3NH3PbI3薄膜缺陷形成的影响

    摘要： 基于低无序度的甲基铵铅碘（CH3NH3PbI3）钙钛矿材料在光电子和光伏领域具有重要应用价值。本研究采用超声喷雾-雾化法成功制备了CH3NH3PbI3薄膜层，系统研究了其结构与光学性能变化以及光生电荷分离传输行为。表面光电压谱显示随着有机组分含量增加，深缺陷态密度显著降低。当有机组分含量达到最佳值时，测得的乌尔巴赫能量值从33.36 meV降至28.24 meV。通过喷涂法制备的最佳钙钛矿太阳能电池表现出16.54 mA/cm2的短路电流密度、0.99 V的开路电压和62.4%的填充因子，最终获得10.09%的光电转换效率。

    关键词： 超声喷涂钙钛矿，缺陷态，表面光电压

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 采用液相外延法生长的用于太阳能电池的GaAsSbN基p-i-n异质结构

    摘要： 我们首次研究了在GaAs衬底上通过低温液相外延(LPE)生长的四元GaAsSbN层及多层异质结构，旨在探索其在光伏应用中的潜力。我们选用Sn和Mg作为实用掺杂剂。掺杂实验可重复地证明能在器件制造适用范围内引入可控浓度的掺杂杂质。在低于600°C的温度下生长出了覆盖10^15至6×10^18 cm^-3宽载流子浓度范围的高质量n型、p型及近补偿GaAsSbN层。首次成功实现了基于近补偿i-GaAsSbN的p-i-n GaAs/GaAsSbN/GaAs异质结构的LPE生长。采用温度依赖光致发光和室温表面光伏无接触表征技术对生长结构进行研究，测量结果显示其具有高光学质量、低浓度局域态及红光响应极限延伸至1.2 eV的特性。

    关键词： 掺杂、砷镓锑氮、太阳能电池、表面光电压、光致发光、液相外延

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 由非晶态TiO2和石墨烯构建的复合微孔用于降解挥发性有机化合物

    摘要： 光催化剂的吸附能力和光活性直接决定了挥发性有机化合物的矿化效率。本研究构建了非晶态TiO2纳米颗粒与石墨烯（GR）的二维-二维微孔结构，以同步增强催化剂的吸附能力和电荷分离效率。通过N2吸附-脱附、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱和X射线衍射等手段对制备样品的物理性质进行表征。利用大气表面光电压（SPV）技术研究光生载流子的分离过程，并以甲苯为模型物评估样品的吸附能力与光活性。结果表明：非晶态TiO2纳米颗粒均匀沉积于石墨烯表面形成二维-二维微孔结构。虽然GR-TiO2复合材料的比表面积仅比微孔TiO2单独存在时增加4-8%，但其甲苯吸附量达到微孔TiO2的156-193%。SPV测试证实石墨烯显著增强了光生载流子的内禀分离。氧气与石墨烯对电荷分离的贡献取决于石墨烯的添加比例，当其质量添加比≥5%时主导电荷分离过程。凭借吸附与光活性的双重优势，在96分钟光照后，含5.0 wt%石墨烯的复合材料对甲苯的矿化效率分别是微孔TiO2和P25的1.4倍和2.7倍。

    关键词： 载流子、表面光电压、微孔、矿化、吸附

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 具有肖特基接触的非晶硅中表面光伏方法的数值模拟与有效性

    摘要： 稳态表面光电压技术（SPV）虽会减小空间电荷区，但仍被广泛用于评估氢化非晶硅（a-Si:H）的少数载流子扩散长度（Lp）。本研究基于表观扩散长度（Lapp）和空间电荷区宽度（W），提出更精确预测少数载流子扩散长度Lp的计算公式。该公式通过摩尔解析解推导得出，并针对一组a-Si:H态密度参数探讨了涉及W的假设条件。数值模拟显示Lapp与价带尾能量呈线性关系，与实验结果高度吻合。针对典型a-Si:H态密度参数，将新公式获得的Lp值与Lapp进行对比分析。

    关键词： 表面光电压、少数载流子扩散长度、光吸收

    更新于2025-09-09 09:28:46