负微分迁移率区砷化镓光电导半导体开关的时间抖动研究

摘要： 研究了波长为1053 nm、脉宽为500 ps光激励下砷化镓光电导半导体开关(PCSS)的时间抖动特性。实验结果表明，在负微分迁移率(NDM)区域，GaAs PCSS的时间抖动呈现非单调变化规律，所有时间抖动值均低于开关波形上升时间的4%。在NDM区起始点获得了约15 ps的最优时间抖动。建立了光激励参数、偏置电场与GaAs PCSS时间抖动之间的理论关系，指出电场作用下时间抖动的非单调行为源于载流子谷间跃迁导致的漂移速度相对涨落不稳定性。