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单层二硒化钒中增强的电子-电子关联驱动的趋于完美费米面嵌套的普适重整化群流
摘要： 在适当衬底上减薄三维样品的厚度，是控制电子-电子相互作用（该作用导致所谓电子重构现象）的有效途径。尽管氧化物异质结构界面中的电子重构已得到广泛深入研究，但这一范式在范德瓦尔斯异质界面体系中尚未确立。本研究考察了单层二硒化钒(VSe2)中电荷有序转变的本质。这种二维相变与块体VSe2样品存在显著差异，其驱动力源于更强的电子-电子关联效应。已知块体VSe2在约TCDW～105K时呈现电荷密度波(CDW)转变，该块体相变源自费米面嵌套特性——低温CDW态与残余费米面的巡游电子共存。近期角分辨光电子能谱测量[Nano Lett. 18, 5432 (2018)]发现费米面嵌套趋于完美，此时热电子动力学沿嵌套波矢正交方向呈现无色散特性。扫描隧道显微镜测量[Nano Lett. 18, 5432 (2018)]进一步证实所得CDW态调制模式与三维VSe2体系基本一致。我们基于临界CDW涨落与不完美费米面嵌套热电子的有效场理论进行重整化群分析，揭示二维体系中不完美嵌套普遍会演化为完美嵌套，且嵌套波矢正交方向的费米速度通常趋于零。我们认为这种电子重构正是导致CDW转变温度显著提升至约TCDW～350K（远高于块体样品）[Nano Lett. 18, 5432 (2018)]的物理根源。
关键词： 二硒化钒、电子-电子关联、重整化群、费米面嵌套、电荷密度波转变
更新于2025-09-23 15:23:52
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费米面嵌套诱导的自组装Ag(111)纳米结构
摘要： 对Ag(111)/MoS2进行的扫描隧道显微镜测量显示，在6、10和14个原子层高度处存在原子级平坦的优选（或称"魔数"）高度。这些结果与银在多种半导体衬底上的生长情况一致，并与独立银(111)薄膜电子结构计算中电子能量的节省相关联。因此，在特定条件下，银会自发形成与衬底无关的量子化结构。为解释这一现象，我们在块体银能带结构中发现了费米面嵌套矢量，这些矢量既能解释上述结果，也能说明银沿表面法线方向存在能隙的现象。该模型可推广至一系列具有电子限域、外延生长和最小应变特性的金属体系。与Au/MoS2体系类似，Ag/MoS2体系在异常高的温度下仍表现出这种特性，这意味着这些原理可用于标准制备条件下对纳米尺度器件特征的调控。
关键词： 量子尺寸效应、二硫化钼、费米面嵌套、银（111）晶面、扫描隧道显微镜
更新于2025-09-16 10:30:52