单层GaTe中晶界诱导的超低阈值随机激光

摘要： 随机激光是在无序介质中实现的一种激光现象，近年来引起了广泛关注。实现强随机激光的关键在于无序结构晶界间产生强烈且反复的散射。本文报道了一种基于单晶多晶GaTe微片的随机激光器（RL），其激射阈值仅为4.15 kW cm-2，比已报道的单根GaN微丝随机激光器低约1-2个数量级。多晶GaTe微片中减小的晶粒尺寸显著增强了光散射与俘获效应，从而实现了超低阈值。我们还研究了空间局域腔体尺寸对泵浦强度分布和温度的依赖性。该研究为制备低阈值、小尺寸的随机激光器提供了可行途径，为拓展随机激光器的诸多潜在光电子应用开辟了新方向。