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具有对称短截线和缺陷的超宽带隙金属-绝缘体-金属波导滤波器
摘要： 首次设计并研究了一种基于超宽带隙等离子体的滤波器，该滤波器由带有对称短截线和缺陷的金属-绝缘体-金属波导构成。通过在短截线中引入缺陷可实现可调谐的宽频带隙，其带隙宽度较无缺陷结构增大约1.35倍。研究发现缺陷和周期数对带隙性能具有关键影响，这归因于所提结构中有效折射率和等离子体共振模式的改变。该等离子体滤波器有望成为集成光路中实现光捕获和可调谐器件的理想替代结构。
关键词： 集成光路、超宽带隙、缺陷、金属-绝缘体-金属波导、基于等离子体的滤波器
更新于2025-09-23 15:19:57
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超宽带隙、高导电性、高迁移率且高质量的熔体生长块状ZnGa?O?单晶
摘要： 真正的大尺寸ZnGa2O4单晶直接从熔体中获得。其1900±20℃的高熔点以及含锌镓组分的高度非共晶蒸发特性对生长条件构成限制。所得晶体具有化学计量比或近化学计量比组成，在室温下呈现正常尖晶石结构，(100)取向样品400峰的摇摆曲线半高宽仅为23角秒。该ZnGa2O4为单晶尖晶石相，其Ga/Zn原子比最高可达约2.17。熔体生长的ZnGa2O4单晶在氧化和还原气氛中分别经10小时退火后，热稳定性可达1100℃和700℃。根据生长条件和原料配比，所得单晶既可能是电绝缘体，也可能是n型/简并半导体。原位生长的半导体晶体电阻率为0.002–0.1 Ω·cm，自由电子浓度为3×101?–9×101? cm?3，最大霍尔迁移率达107 cm2·V?1·s?1。这些半导体晶体在≥700℃氧气氛围中退火数小时后可转变为电绝缘态。其光学吸收边陡峭且起始于275 nm波长，随后在可见光及近红外波段完全透明。由吸收系数推算的光学带隙为直接带隙，约4.6 eV，与β-Ga?O?接近。此外，该材料晶格常数a=8.3336 ?，可作为磁性铁基尖晶石薄膜的优质晶格匹配衬底。
关键词： 高迁移率、熔体生长、高质量、超宽带隙、导电性、单晶、ZnGa2O4
更新于2025-09-04 15:30:14