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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述

    摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。

    关键词： 击穿电场、巴利加优值、导通电阻、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga?O?）、功率器件、肖特基势垒二极管（SBD）

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 具有超宽带隙Ga2O3透明导电电极的太阳能电池架构中的巨大体光伏效应

    摘要： 据报道，超宽带隙透明导电β相氧化镓（β-Ga2O3）薄膜被用作铁电太阳能电池的电极。在一种新型能源应用材料结构中，我们展示了一种太阳能电池结构（光吸收体夹在两个电极之间——其中一个为透明电极），该结构在典型室内光照条件下不受肖克利-奎伊瑟开路电压（Voc）极限的限制。电极的太阳光盲特性使其在白光照射（常规室内照明）下实现了破纪录的体光伏效应（BPE）。通过引入太阳光盲导电氧化物，这项工作为突破肖克利-奎伊瑟极限的铁电光伏技术开辟了新前景。

    关键词： 体光伏效应、钛酸铅锆(Pb(Zr,Ti)O3)、太阳能电池结构、铁电光伏技术、氧化镓(Ga2O3)、宽禁带半导体、透明导电氧化物、超宽禁带半导体

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 氧化镓 || 氢在Ga2O3中

    摘要： 带隙大于氮化镓（GaN）3.4电子伏特的半导体正成为一类新型超宽禁带（UWBG）电子材料[1-5]。尽管超宽禁带材料具有广阔的应用前景，但人们对其基本特性的认识仍处于早期发展阶段。本章重点研究氢杂质及其与β-氧化镓中其他缺陷的相互作用，β-氧化镓是一种具有4.9电子伏特超宽禁带的透明导电氧化物[6-9]。（本章所指均为热稳定性最高的单斜晶系β相氧化镓。）

    关键词： 透明导电氧化物、氢气、缺陷、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga2O3）

    更新于2025-09-09 09:28:46