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镓砷-铝镓砷量子阱中铁磁耦合Mn δ层的电偏压控制磁化翻转
摘要： 我们提出一种基于掺杂双锰δ层的GaAs-AlGaAs量子阱的合成铁磁半导体结构模型。该结构中δ层间的耦合通过额外空穴介导，可通过门控在铁磁与反铁磁耦合间切换。通过合理选择δ层中的锰浓度及局部无序程度，可制备出支持超快磁化翻转的铁磁结构——仅需施加短电脉冲而无需外磁场。该结构的翻转机制依赖于两δ层间通过层内磁性离子对电脉冲加热空穴的交换散射所介导的动力学自旋交换。由于该合成铁磁半导体中交换散射特性、自旋衰减时间与热量耗散之间的特定相互作用，所需电脉冲参数处于技术可实现范围，且不违背半导体结构的典型热动力学特性。
关键词： 超快加热，砷化镓量子阱，合成铁磁体，磁化的超快切换
更新于2025-09-19 17:13:59
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强飞秒激光脉冲作用下通过硅-真空界面的超快电子转移
摘要： 对飞秒激光脉冲辐照下硅-真空界面附近超快电子转移过程中，电荷发射分离形成的准稳态电场影响进行了理论研究。估算了接近及超过硅损伤阈值的飞秒脉冲辐照时产生的准稳态电场强度值。研究了因表面层电子耗尽导致光学性质改变，进而在飞秒脉冲辐照的硅近表面层形成动态光学分层结构的可能性。提出电荷发射分离诱导的时变偶极矩应会产生太赫兹频段电磁辐射，并对该辐射的基本特性进行了理论研究。
关键词： 库仑爆炸、硅、超快加热、太赫兹辐射、电子发射、电子转移、飞秒激光脉冲
更新于2025-09-12 10:27:22