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[2019年IEEE射频集成电路研讨会(RFIC)- 美国马萨诸塞州波士顿(2019年6月2日-6月4日)] 2019年IEEE射频集成电路研讨会(RFIC)- 一款21至30GHz合并式数控高分辨率移相器-可编程增益放大器,具有正交相位与增益控制功能,适用于5G相控阵应用
摘要: 本文提出了一种面向5G相控阵应用的21至30GHz合并式无源矢量合成移相器(PS)与可编程增益放大器(PGA),具备亚度级相位分辨率。该移相器采用基于变压器的全差分高阶谐振耦合器作为正交信号发生器(QG),通过创新布局策略仅在一个电感占位面积内实现宽带宽、低损耗及精确正交相位。相比传统四阶变压器谐振耦合器,所提出的高阶谐振耦合器具有更宽的正交带宽。两个相位不变的6位二进制加权矢量调制器阵列对正交信号进行幅度调节,实现所需的高分辨率矢量相位插值??杀喑淘鲆娣糯笃魍ü?#34;基于分数位"的设计方案实现相位不变且分贝线性的增益控制。该芯片原型采用65nm CMOS工艺制造,在20至31GHz频段实现43%的分数带宽-3dB指标。移相器以0.8°步进调节相位,同时保持最小0.42°的均方根相位误差,在现有毫米波移相器中展现出最优的相位精度。
关键词: 高阶、相控阵、正交发生器、超紧凑型、可编程增益放大器、移相器
更新于2025-09-16 10:30:52
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氮化硅平台上860纳米波长的超紧凑型40通道阵列波导光栅
摘要: 阵列波导光栅(AWG)已广泛应用于密集波分复用通信系统中的波长复用与解复用。本文报道了一种基于氮化硅平台制备的高度紧凑型40通道AWG器件,其工作中心波长为860 nm附近,适用于频域光学相干断层扫描。该AWG总尺寸仅为910微米×680微米。实测传输光谱显示:器件通道间隔1.5 nm,光谱范围60 nm,与设计参数一致;中心通道插入损耗为1.3 dB,最外侧通道为1.8 dB;中间20个通道的通道间串扰介于17.2 dB至19.7 dB之间。
关键词: 阵列波导光栅,超紧凑型,极近红外,氮化硅平台
更新于2025-09-11 14:15:04