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铯铅卤化物纳米立方体连续界面转变为超薄纳米线并提升稳定性
摘要： 尽管全无机CsPbX3（X=Cl、Br、I）纳米晶体（NCs）被视为光电器件领域极具前景的材料，但由于其稳定性较差且缺乏深入认知，应用仍受限。本研究展示了一种通过硫脲溶液处理CsPbBr3纳米立方体制备超薄CsPbX3纳米线（NWs）的后处理方法。系统研究表明存在连续的界面转化过程：首先在硫脲作用下CsPbBr3纳米立方体转化为Cs4PbBr6 NCs，随后通过界面CsX剥离过程进一步转变为CsPbBr3 NCs。为降低表面能，实现了取向附着过程使CsPbBr3 NCs聚集形成超薄纳米线。这些超薄CsPbBr3 NWs展现出高荧光量子产率（PLQY高达60%）和优异的耐水处理性，这归因于硫脲的表面钝化作用。除硫脲外，含巯基的半胱氨酸和硫代乙酰胺也能触发该转化过程。本工作不仅提供了合成高效稳定超薄CsPbBr3 NWs的简便方法，更有助于揭示深层机理，对金属卤化物钙钛矿NCs领域具有重要价值。
关键词： 超薄纳米线、取向附着、Cs4PbBr6、CsPbBr3、硫脲
更新于2025-09-23 15:23:52
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按需CMOS兼容的超薄自对准碳化硅纳米线阵列制备技术
摘要： 半导体纳米线（NWs）领域已成为最活跃且成熟的研究方向之一。然而，由于难以控制单个纳米线的密度、取向和排布位置——这些参数对纳米器件的大规模生产至关重要，该领域的进展受到限制。本文报道了一种新型纳米合成策略：采用与硅微电子工艺兼容的制造方案，在预定位置制备出超薄自对准碳化硅（SiC）纳米线阵列（宽度≤20纳米，高度130纳米，周期200-600纳米可调），其具有高质量特性（表面粗糙度约2埃，光学带隙约2.4电子伏）和可重复性。傅里叶变换红外光谱、X射线光电子能谱、紫外-可见椭圆偏振光谱、原子力显微镜、X射线衍射和透射电子显微镜研究表明，该纳米合成技术可制备出具有定制特性的高质量多晶立方3C-SiC材料（平均晶粒尺寸5纳米）。研究进一步扩展了纳米加工工艺，将具有重要技术价值的铒离子作为电信C波段波长的发射中心进行集成。这种集成实现了离子的确定性定位，并通过由此产生的纳米线光子结构调控离子自发辐射特性——这两点对量子信息应用的实际器件制造都至关重要。这种整体性方法能够开发出可扩展的新型SiC纳米结构材料，应用于众多新兴领域，如基于纳米线的传感、单光子源、量子LED和量子光子学等。
关键词： 碳化硅，电信波长，纳米制造，自对准纳米线，超薄纳米线，量子光子学
更新于2025-09-10 09:29:36