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单原子和分子离子辐照对GaN时间分辨光致发光衰减的影响
摘要： 实验研究了硅掺杂纤锌矿(0001)面GaN外延层在千电子伏特单原子与分子离子辐照下诱导的光学效应。研究结果与结构缺陷形成数据共同分析表明：在所有考察案例中，碰撞级联密度增加（分子离子与重原子离子轰击情形）会提升稳定损伤累积速率，进而加剧发光猝灭。理论分析将光致发光抑制过程归因于辐照亚表面层产生稳定损伤导致非平衡光激发载流子表面复合速率上升。研究表明，在所研究的浅层注入情形中，载流子扩散决定了光致发光衰减时间的缩短。
关键词： 辐射损伤，光致发光，碰撞级联密度，时间分辨光致发光，载流子扩散，离子注入，氮化镓
更新于2025-09-23 15:23:52
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光栅成像技术与瞬态光栅技术在半导体载流子扩散测量中的比较
摘要： 光学光栅技术通过光干涉产生光栅，已广泛应用于半导体中载流子和声子输运的测量。本文利用瞬态光栅衍射、瞬态光栅外差和光栅成像这三种瞬态光栅技术，测量了GaAs/AlAs超晶格中的载流子扩散系数，并对它们进行了比较。针对每种技术构建了理论模型以提取载流子扩散系数，且三种技术所得结果一致。我们的主要发现是：(1) 瞬态光栅外差和光栅成像技术获得的瞬态透射变化ΔT/T0相同，尽管这两种技术源于不同的检测原理；(2) 通过采用透射变化（外差放大）检测而非纯衍射，光栅成像技术（瞬态光栅外差）在信号强度上相比瞬态光栅衍射具有压倒性优势，其信号强度比为315:1（157:1）。
关键词： 衍射、瞬态光栅外差、光栅成像、载流子扩散
更新于2025-09-04 15:30:14