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采用硼注入边缘终端增强金刚石肖特基势垒二极管的击穿特性
摘要： 硼离子注入边缘终端技术已被证实可提升金刚石肖特基势垒二极管（SBD）的击穿电压和稳定性。该边缘终端通过硼离子注入形成位于肖特基接触边缘下方的非导电非晶区域实现。直流测量表明注入区域未对正向电流产生贡献，在-5V偏压下获得了约4000A/cm2的高电流密度。采用硼离子注入边缘终端后，虽然观察到漏电流有所增加，但器件平均击穿电压从79V显著提升至125V（增幅超过50%）。此外，无边缘终端器件的击穿电压在重复测量后快速衰减，而具有边缘终端的器件稳定性大幅提高，未出现明显的击穿电压下降。
关键词： 硼注入、肖特基二极管、金刚石、边缘终端
更新于2025-09-23 15:22:29
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具有更高JTE剂量和表面电荷耐受性的碳化硅器件阶梯双区结终端扩展结构
摘要： 本文提出了一种称为阶梯双区结终端延伸（Step-DZ-JTE）的边缘终端结构。该结构通过其特有的阶梯形状进一步优化了电?。‥F）分布。研究采用数值模拟方法对Step-DZ-JTE与其他终端结构进行对比分析。Step-DZ-JTE显著降低了对击穿电压（BV）和表面电荷（SC）的敏感性：对于30微米厚的外延层，优化的Step-DZ-JTE在JTE掺杂剂量容差达12.2×10^12 cm^-2时可实现理论击穿电压的90%，并在正表面电荷容差提升至3.7×10^12 cm^-2时获得理论值的85%。此外，结合场板技术后，Step-DZ-JTE的性能可得到进一步提升。
关键词： 击穿电压（BV）、边缘终端、结终端扩展（JTE）、碳化硅（SiC）
更新于2025-09-23 15:22:29