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基于GaN的垂直腔面发射激光器亚毫安阈值连续波工作，采用曲面镜实现横向光学限制
摘要： 研究了一种基于氮化镓的垂直腔面发射激光器（GaN基VCSEL）的连续波工作模式，该器件采用硼离子注入实现横向电流限制，并通过曲面镜实现横向光学限制。在室温下，对于直径为3微米的电流孔径，其阈值电流为0.25毫安（Jth = 3.5千安/平方厘米），激射波长为445.3纳米。这是有记录以来GaN基VCSEL的最低阈值电流。由于引入曲面镜实现了横向光学限制，这一成果被视为通过横向光学限制进一步实现GaN基VCSEL小型化的里程碑。
关键词： 连续波工作模式、阈值电流、横向光学限制、氮化镓基垂直腔面发射激光器、曲面镜
更新于2025-11-28 14:23:57
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基于外延集成InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结构的连续波激光二极管
摘要： 我们报道了波长范围为1040至1080纳米的集成激光发射器研发及其主要特性的研究结果。这些器件采用外延集成的InGaAs/AlGaAs/GaAs异质结构制造，具有一个或两个发射区，并在脉冲、准连续和连续波泵浦模式下进行测量。研究发现，集成发射器除了具有输出光功率增加的明显优势外，还存在一个显著限制——释放热量增加。尽管如此，研究表明这种集成双激光二极管在连续波工作模式（Pmax约6瓦）下能高效运行，其微分量子效率较单激光二极管提高了1.7倍。
关键词： 连续波工作模式、激光二极管、外延集成异质结构、热量释放
更新于2025-09-11 14:15:04