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[2019年IEEE智利电气、电子工程、信息与通信技术会议(CHILECON) - 智利瓦尔帕莱索(2019.11.13-2019.11.27)] 2019年IEEE智利电气、电子工程、信息与通信技术会议(CHILECON) - 激光场输出光电流中的傅里叶-贝塞尔形状及频率啁啾效应
摘要： 本研究展示了InP量子点激光器材料体系中阈值电流密度的创纪录低值（尤其在高温条件下）。采用Ga0.58In0.42P作为量子点上限制层的激光器表现最优：在300K时阈值电流密度低至138 A·cm?2，350K（77°C）时为235 A·cm?2（2毫米激光器，未镀膜端面）。增益-电流密度数据表明，若非x=0.56和0.58样品具有极低的内部光学模式损耗(αi)，使用GaxIn1?xP（x=0.54/0.56/0.58）作为上限制层的激光器性能应相近。固定反转能级下的增益测量显示：增加GaxIn1?xP中的x含量虽能提升固定反转能级下的增益，但x=0.54样品也表现出更低的复合电流密度。高温导致的热载流子扩散使复合电流密度升高的现象，在x=0.56和x=0.58样品中显著减弱——不过共同工作点的测量表明这主要归因于这些样品更低的αi值。若保持相同αi，相较于x=0.52，x=0.54/0.56/0.58样品均能更有效抑制热载流子扩散的影响。
关键词： 量子点器件，磷化铟自组装量子点，半导体激光器，短波长激光器，阈值电流密度，温度敏感性
更新于2025-09-23 15:21:01
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[2019年IEEE脉冲功率与等离子体科学会议(PPPS) - 美国佛罗里达州奥兰多(2019.6.23-2019.6.29)] 2019年IEEE脉冲功率与等离子体科学会议(PPPS) - 大功率电子泵浦KrF激光装置中的激光束自准直与监测
摘要： 本研究展示了InP量子点激光器材料体系中阈值电流密度的创纪录低值（尤其在高温条件下）。采用Ga0.58In0.42P作为量子点上限制层的激光器表现最优，在300K时阈值电流密度低至138 A·cm?2，350K（77°C）时为235 A·cm?2（2毫米激光器，未镀膜端面）。增益-电流密度数据表明：若非x=0.56和0.58样品具有极低的内光学模式损耗（αi），采用GaxIn1?xP（x=0.54/0.56/0.58）作为上限制层的激光器性能将相近。固定反转能级下的增益测量显示：增加GaxIn1?xP中的x含量虽能提升固定反转能级下的增益，但x=0.54样品也表现出更低的复合电流密度。高温导致的热载流子扩散使复合电流密度升高的现象，在x=0.56和x=0.58样品中显著减弱——但共同工作点的测量表明这主要归因于这些样品更低的αi。若保持相同αi，x=0.54/0.56/0.58样品相比x=0.52都能更有效抑制热载流子扩散的影响。
关键词： 量子点器件，磷化铟自组装量子点，半导体激光器，短波长激光器，阈值电流密度，温度敏感性
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE国际微波与毫米波技术会议(ICMMT) - 中国广州(2019.5.19-2019.5.22)] 2019年国际微波与毫米波技术会议(ICMMT) - 一种适用于随机阵列应用的圆极化波导缝隙天线
摘要： 该材料体系中，特别是高温条件下，InP量子点激光器呈现了创纪录的低阈值电流密度值。上限制层采用Ga0.58In0.42P的激光器在300K时阈值电流密度最低（138 A·cm?2），350K（77°C）时为235 A·cm?2（2毫米激光器，未镀膜端面）。增益-电流密度数据显示：若非样品在x=0.56和0.58时具有极低的内光学模式损耗αi，采用GaxIn1?xP（x=0.54/0.56/0.58）作为上限制层的激光器性能将相近。固定反转能级下的增益测量表明：增加GaxIn1?xP中的x含量虽能提升固定反转能级下的增益，但x=0.54的样品也表现出更低的复合电流密度。高温导致的热载流子扩散使复合电流密度升高的现象，在x=0.56和x=0.58样品中显著减弱——但共同工作点的测量表明这主要源于这些样品更低的αi值。若保持相同αi，相较于x=0.52，x=0.54/0.56/0.58的样品都能从热载流子扩散影响减弱中获得更大收益。
关键词： 量子点器件、磷化铟自组装量子点、半导体激光器、短波长激光器、阈值电流密度、温度敏感性
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 混合钙钛矿量子点发光二极管稳定连续工作特性的研究
摘要： 展示了两种不同封装结构的混合钙钛矿量子点发光二极管，均实现了稳定连续的光发射。采用氮化硼纳米颗粒后，器件寿命有望达到数千小时。
关键词： 纳米材料、量子点器件、发光二极管
更新于2025-09-11 14:15:04
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[2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - 直接生长于CMOS兼容硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器
摘要： 我们首次报道了直接生长于与CMOS兼容的轴向硅衬底上的O波段量子点半导体光放大器(QD-SOA)。该QD-SOA长度为3600微米，从4微米渐变至5.5微米，可实现29分贝的片上增益和22.8分贝毫瓦的饱和输出功率，同时具有最低7分贝的光纤到光纤噪声系数。
关键词： 半导体光放大器、分子束外延、硅上直接生长、量子点器件
更新于2025-09-11 14:15:04