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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 实现垂直堆叠多硅纳米线场效应管更真实的NEGF模拟
摘要： 我们基于非平衡格林函数（NEGF）方法，展示了垂直堆叠多硅纳米线（SiNW）场效应晶体管（FET）的量子输运模拟结果。为了考虑更真实的器件条件（如多通道FET的复杂几何结构及各种载流子散射过程），我们改进了NEGF模拟的物理模型和数值技术。
关键词： 非平衡格林函数（NEGF）、量子输运、多纳米线场效应晶体管
更新于2025-09-09 09:28:46
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[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 第一性原理器件模拟的高级算法
摘要： 本文提出了针对第一性原理大规模量子输运问题的数值算法。这些算法可分为三大类：(i) 计算连接模拟区域与其环境的开放边界条件；(ii) 求解弹道输运极限下由此产生的薛定谔方程；(iii) 将该情况扩展至涉及散射（如电子-声子相互作用）的情形。研究表明，基于第一性原理的器件模拟需要专门开发的算法，且相比仅基于CPU的求解器，图形处理单元(GPU)能带来显著的速度提升。作为示例，将报告对实际导电桥随机存取存储器单元进行研究所得的计算耗时。
关键词： DFT（密度泛函理论）、算法、NEGF（非平衡格林函数）、量子输运
更新于2025-09-09 09:28:46