- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
面向<100飞焦/比特光子链路的混合等离子体多量子阱电反射调制器设计
摘要： 实现板载和芯片间光互连需要功耗远低于电互连（即<<1皮焦/比特）的光子数据链路。目前，直接调制850纳米垂直腔面发射激光器在>50吉比特/秒速率下需消耗2-4皮焦/比特/通道的能耗。外部反向偏置调制器可大幅降低该功耗。本研究设计出工作电压1伏的砷化镓/铝镓砷多量子阱电反射超低功耗调制器，通过相邻量子阱间的耦合量子限制斯塔克效应及与混合表面等离子体-平板模式的耦合，显著提升消光比与光谱带宽，便于与聚合物"光学桥"集成。区别于传统电光或电吸收调制器，该新型设计协同利用折射率（|Δn|~0.05）和吸收系数（Δα~10?厘米?1）的超大幅度变化，在1伏反向偏压下实现35-50分贝消光比，同时保持1-3分贝低插入损耗、约5°入射角容差及7-10纳米光谱带宽。该调制器无需热调谐即可达到~1.9飞焦/比特的功耗，RC限制带宽远超100吉赫兹。该新型调制器支持>100吉比特/秒/通道且<100飞焦/比特/通道的高带宽超低功耗光互连网络，与持续发展的CMOS技术完全兼容。
关键词： 量子限制斯塔克效应、光互连、光调制、表面波、量子阱器件
更新于2025-09-23 15:19:57
-
用于高密度集成功率?？橹泄獾缃怦畹牡鼗嗔孔于骞獾缣讲馄鞲呶路治?
摘要： 研究表明，InGaN/GaN多量子阱结构可作为高温光电二极管应用的一种可行方案。为评估其未来在功率电子器件中作为探测器的集成潜力，我们对InGaN/GaN多量子阱结构进行了高温光谱与噪声特性分析。在77-800K温度范围内，分别采用光伏模式和偏置模式测量了光谱响应。实验记录到500K温度下440nm波长处峰值光谱响应度为27.0mA/W。计算得出该器件在77-800K温度范围内的峰值外量子效率为5-8%。通过材料优值参数D*（不同温度和偏压条件下的探测器灵敏度指标），测得该结构在800K零偏压、440nm波长处获得峰值探测率4×10? cmHz1/2W?1。
关键词： 量子阱器件、功率电子学、高温、光电二极管、光耦合器
更新于2025-09-16 10:30:52