- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
隧道耦合的CdTe和(Cd,Mn)Te量子阱中由交换相互作用引起的短程邻近效应
摘要： 通过时间分辨泵浦-探测克尔旋转技术研究了隧穿耦合的CdTe与(Cd,Mn)Te量子阱（QWs）中电子的相干自旋动力学。这对耦合量子阱具有不同厚度：较窄的量子阱掺杂了Mn2?磁性离子。观测到两者之间存在短程邻近效应：宽量子阱中电子的塞曼分裂除本征电子g因子外，还受到通过电子隧穿至窄量子阱与Mn2?离子交换相互作用的影响。该交换相互作用强度随分隔量子阱的Cd?.??Mg?.??Te势垒厚度呈比例变化?？砹孔于迳喜獾玫目硕藕畔允境龊嵯虼懦≈械缱幼孕牧礁鱿嘟德史至?，其自旋退相位时间存在显著差异（50皮秒与1纳秒）。这两个频率分别源自宽量子阱中作为激子组成部分或局域态的电子。由于库仑相互作用束缚降低了向窄阱的隧穿概率，激子电子的邻近效应较弱。实验数据与模型计算结果高度吻合。
关键词： 克尔旋转、邻近效应、量子阱、交换相互作用、自旋动力学
更新于2025-09-23 15:21:01
-
具有GaAs/AlGaAs量子阱的平面波导中光诱导的强耦合与弱耦合态间转变
摘要： 平面波导中的激子极化激元因其较大的波导面内群速度，在极化激元电路应用中备受关注。我们展示了基于AlGaAs平面波导（含GaAs/AlGaAs量子阱）通过光调控激子极化激元耦合的能力。随着光照强度增加，强耦合与弱耦合状态之间的转变现象，可通过量子阱充电导致的激子模式损耗增强来解释。该假设通过共振照明的反射光谱实验得到验证。
关键词： AlGaAs、GaAs、平面波导、强耦合、量子阱、激子-极化激元、弱耦合
更新于2025-09-23 15:21:01
-
从量子点到体晶体以及里德伯激子极化子的附加边界条件
摘要： 我们提出了针对里德伯激子半导体光学函数在宽维度区间内的计算方案。研究从零维结构（量子点）出发，依次拓展至一维（量子线）、二维（量子阱及宽量子阱），最终到三维体材料晶体；通过数值模拟验证解析结果，与现有实验数据相符。计算中包含激子-极化激元效应，讨论了多极化激元分支情形，所得理论吸收谱与实验数据高度吻合。
关键词： 量子阱、体晶体、激子-极化激元、量子线、里德伯激子、量子点
更新于2025-09-23 15:21:01
-
超高真空退火辅助量子阱尺寸调控提升钙钛矿发光二极管效率
摘要： 具有多重维度量子阱（QWs）特征的准二维（Q-2D）钙钛矿一直是光电器件的主要候选材料。然而，过量低维钙钛矿会因声子-激子相互作用及绝缘性大有机阳离子的存在而降低器件效率。本研究通过超高真空（UHV）退火去除有机阳离子1-萘甲基碘化铵（NMAI），有效抑制了低维量子阱的形成。在优化UHV条件下退火的薄膜所制备的钙钛矿发光二极管（PLEDs），其外量子效率达13.0%，插墙效率为11.1%，显著优于手套箱中退火处理的对照器件。
关键词： 量子阱、超高真空退火、尺寸裁剪、准二维钙钛矿、钙钛矿发光二极管
更新于2025-09-23 15:21:01
-
基于InGaN的LED退化：复合依赖性缺陷生成过程的验证
摘要： 本文通过对比分析两种不同发射波长（495纳米和405纳米）双量子阱（QW）器件的综合研究，揭示了氮化铟镓基LED的退化机理。研究考察了两种配置：495纳米量子阱靠近p侧与靠近n侧的情况。原始实验结果表明：(i) 应力作用下，器件在反向及低正向电压区均出现缺陷相关漏电流增加，电流随应力时间平方根增长，表明存在扩散过程；(ii) 应力导致两个量子阱发光信号减弱，低电流测试时发光衰减更显著，说明退化源于肖克利-里德-霍尔复合中心的产生；(iii) 退化速率与量子阱初始发光信号呈线性关联，证实载流子密度影响退化进程；(iv) 光学退化速率与应力电流密度成正比。结果强烈表明存在复合驱动的退化机制，并讨论了肖克利-里德-霍尔复合与俄歇复合的可能作用。通过稳态光电容测量阐明了退化过程中缺陷的特性。
关键词： 量子阱、肖克利-里德-霍尔复合、俄歇复合、退化、稳态光电容、基于氮化铟镓的发光二极管
更新于2025-09-23 15:21:01
-
二维混合卤化物钙钛矿：原理与前景
摘要： 混合卤化物钙钛矿已成为新兴半导体材料领域的"下一个重大突破"，过去十年间其在高性能光伏器件中的成功应用见证了这一崛起。三维（3D）钙钛矿的蓬勃发展以CH3NH3PbI3为引领，掀起了该领域的复兴浪潮。然而下一代卤化物钙钛矿的特征在于低维结构，其中二维（2D）钙钛矿衍生物作为更具多样性的半导体混合材料亚群迅速扩展，展现出更高的可调控性和优异的光物理特性。本综述首先回溯"钙钛矿热潮"之前早期的研究报道，追踪这些奠基性工作如何发展为当今的研究焦点——2D卤化物钙钛矿正推动高性能光电子学多个领域的发展。我们从结构视角解析2D卤化物钙钛矿的演进历程，对决定其特殊物理性质的材料结构类型进行分类?；谖藁慵捌湫奘畏绞?、有机阳离子多样性这两个关键要素对2D混合卤化物钙钛矿进行系统梳理。当这两个异质组分通过合成调控（有机阳离子或无机元素的置换）或外部刺激（温度与压力）相互融合时，?？榛祁芽蠼峁够嵫莼纬删逖Фㄒ宓牧孔于澹≦W）。由此产生的复杂电子结构对结构特征高度敏感，这种敏感性又可作为调控量子阱介电和光学性质的调节旋钮。最后我们总结了迄今已实现的最显著光电器件成果，同时展望未来材料发现与潜在技术发展。
关键词： 二维（2D）钙钛矿衍生物、光电器件、量子阱（QW）、混合卤化物钙钛矿、半导体杂化材料
更新于2025-09-23 15:21:01
-
扫描电子显微镜中互补的阴极荧光寿命成像配置
摘要： 阴极发光（CL）光谱技术为以深亚波长空间分辨率表征材料光学特性提供了有效手段。虽然获取光学光谱的CL成像技术已较为成熟，但实现纳米级分辨率的CL寿命成像仅见于少数研究。本文对比了三种不同的时间分辨CL技术及其特性：两种方案基于脉冲电子束采集CL衰减轨?！直鸩捎弥糜诘缱又诘某焓⒉龀澹蛲üす馇缱右跫墓夥⑸洳龀?；第三种方案则通过连续或脉冲电子束测量CL信号的自相关函数g(2)。我们从实施复杂度、时空分辨率及电子剂量相关的测量精度三方面对这三种技术进行比较。通过研究单块InGaN/GaN量子阱样品，可直接对比三种技术的寿命测量特性：基于g(2)的方法因不影响电子柱配置而获得最佳空间分辨率的衰减测量；脉冲束方法能更精细呈现激发与衰减动力学过程。超快束闸配置可在5keV电压下产生30ps短脉冲，30keV时为250ps，重复频率最高可选80MHz（需电子柱共轭平面几何结构，会降低本显微镜的空间分辨率）。光发射配置采用250fs/257nm脉冲泵浦（重复频率10kHz-25MHz），可产生低至数ps的电子脉冲（空间分辨率略有损失）。
关键词： 电子显微镜、超快、阴极荧光、时间分辨、量子阱
更新于2025-09-23 15:21:01
-
利用高强度太赫兹激光场研究激子耦合量子阱体系中的非微扰多光子激发
摘要： 在时变高强度太赫兹（THz）激光场作用下，GaAs/AlxGa1?xAs耦合量子阱结构中激子态的多光子激发与非线性光学特性已得到理论研究。采用非微扰Floquet理论求解激光驱动激子量子阱体系的含时运动方程。该体系对激光电场强度、频率等场参数的状态响应，可应用于光电探测器、传感器、全光开关及太赫兹发射器等多种光学半导体器件。
关键词： 激光、多光子、量子阱、激子、弗洛凯态、太赫兹、非微扰
更新于2025-09-23 15:19:57
-
单片蓝青双色发光二极管中的发射光谱控制
摘要： 对同时发射蓝光和青光的氮化铟镓基双色发光二极管（LED）开展了实验与理论研究。提出了两种调控发射光谱中蓝光与青光组分比例的主要方法并进行分析：(i)调节蓝光与青光量子阱间GaN势垒的厚度；(ii)通过n型或p型杂质优化势垒掺杂。为深入理解这两种方法在宽范围内主动调控蓝青光比例的能力，对其进行了详细研究?；谑的Ｄ?，提出并讨论了一种新机制——该机制涉及势垒中增强的肖克利-里德-霍尔复合效应，且是上述两种方法的共同基础。研究表明，所设计的单片集成蓝青光LED相比单色蓝光或青光参照样品，并未导致LED发光效率的显著下降。
关键词： 氮化铟镓、模拟、量子阱、掺杂、发射光谱、发光二极管
更新于2025-09-23 15:19:57
-
嵌入氯化钠中的量子点光热稳定性研究
摘要： 展示了一种将胶体量子点（QDs）高效掺入离子基质的有效方法。我们制备了三种不同的合成方案：传统饱和盐水法、甲醇辅助法和乙醇辅助法。持续的热应力与光子应力测试表明，高温环境（而非光子激发应力）对量子点的发光性能更具破坏性。虽然传统饱和盐水法和甲醇辅助法在低温及低光子激发强度条件下表现良好，但乙醇辅助法封装的量子点在所有测试条件下均无法保持稳定。超过1000小时的加速老化测试为这些量子点的寿命提供了关键数据，预计其使用寿命可超过10,000小时。
关键词： 发光二极管、量子阱、纳米材料、线状和点状器件
更新于2025-09-23 15:19:57