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金属化后退火对Al?O?/GaN结构界面特性的影响
摘要： 在本研究中，我们采用原子层沉积法制备的Al2O3，研究了后金属化退火（PMA）对GaN金属-氧化物-半导体（MOS）结构界面特性的影响。在300-400°C氮气环境下进行PMA后，MOS样品展现出无频率色散的优异电容-电压（C-V）特性。该PMA样品的状态密度最高仅为4×101? cm?1 eV?1。透射电镜图像的几何相位分析表明，PMA后Al2O3/GaN界面附近的晶格常数呈均匀分布，从而改善了界面沿线的键端配位和键序构型。
关键词： 原子层沉积、电容-电压特性、Al2O3/GaN结构、界面性能、金属化后退火
更新于2025-09-23 15:21:01
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退火对喷涂Al2O3基MIS结构硅表面钝化界面特性的影响
摘要： 通过超声喷雾法，将不同摩尔浓度的乙酰丙酮铝溶解于N,N-二甲基甲酰胺溶液中，在石英和硅(100)衬底上沉积了不同厚度的氧化铝(Al2O3)薄膜。研究了其光学、形貌及电学特性。随着摩尔浓度增加，折射率降低，光学带隙从5.26 eV增大至5.52 eV，薄膜表面粗糙度也发生变化。针对Al2O3/Si界面的平带电压(VFB)、有效电荷密度(Qeff)和界面态密度(Dit)等电学参数，考察了其与摩尔浓度、薄膜厚度及热处理工艺的关联性。通过后沉积退火(PDA)和后金属化退火(PMA)两种退火工艺对结构进行处理，显著改善了界面特性。研究发现正平带电压VFB偏移与PMA过程中产生的负有效电荷相关。在不同摩尔浓度下均观察到PMA样品中Dit分布减小，而PDA样品无明显变化。此外，随着Al2O3薄膜厚度减小，PDA和PMA样品中的Dit均降低，较薄薄膜则呈现较高的Qeff密度及其负电荷极性。经退火处理的样品证实了对Al2O3/Si界面具有显著钝化效果。这些关于界面特性的发现对硅表面钝化（特别是太阳能电池应用）具有重要前景。
关键词： Al2O3，表面钝化，超声喷雾，金属化后退火，沉积后退火
更新于2025-09-10 09:29:36