- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
直接打印的纳米级金属氧化物线电子器件
摘要： 一维金属氧化物（MO）微米线与纳米线（MOWs）可作为集成化透明电子器件的优异功能单元。然而传统合成方法制备的MOWs存在长度短、不可控且随机分布的问题，难以用于构建具有精确调控MOW沟道的高密度晶体管阵列。本研究展示了一种大规模直印通用纳米级MOW电子器件系统，包含高度对齐、数字可控且任意长度的MOW阵列，以及MOW场效应晶体管（FETs）、神经形态突触晶体管和气体传感器的多种纳米级应用。通过制备原始态、掺杂态及合金态MOWs，我们成功构建了由导电氧化铟（In2O3）线与半导体氧化铟锌（IZO）线组成的全MOW-FETs，其载流子迁移率μ达~17.67 cm2 V?1 s?1，与MO薄膜FETs相当。MOW突触晶体管展现出与生物突触响应相似的突触前信号依赖性突触后行为，有望成为高密度神经形态器件的纳米电子单元。我们还开发了对NO?气体具有高响应度的MOW气体传感器。这种直印式、大规模且可独立调控的MOW电子技术，为工业可行的MOW电子器件发展提供了新途径，并为精确控制的无机MOW电子器件及纳米级印刷电子学开辟了新方向。
关键词： 突触晶体管、金属氧化物纳米线、金属氧化物气体传感器、纳米线印刷、金属氧化物晶体管、纳米线电子学
更新于2025-09-23 15:22:29
-
正交组装三维交叉堆叠金属氧化物半导体纳米线的合成
摘要： 三维堆叠的金属氧化物纳米线组装体可实现具有定制导电性、多孔结构和高比表面积的纳米器件。现有制备方法需经历制备纳米线、手动组装或转印等多步复杂流程，因而缺乏合成灵活性与可控性。本研究报道了一种通用正交组装策略，可可控构建三维多层交叉金属氧化物纳米线阵列。以氧化钨半导体纳米线为例，我们展示了聚环氧乙烷-嵌段-聚苯乙烯与硅钨酸复合纳米棒的自主正交堆积过程；后续煅烧后形成掺硅亚稳态ε相三氧化钨的三维交叉堆叠纳米线阵列。该纳米线堆叠框架还作为气体检测器实现了对丙酮的选择性传感。通过采用其他多金属氧酸盐，这种类木堆三维纳米结构的制备方法还可推广至不同掺杂金属氧化物纳米线，为调控其物理特性以实现多种应用提供了途径。
关键词： 气体传感、金属氧化物纳米线、纳米器件、三维堆叠、正交组装
更新于2025-09-11 14:15:04