硅太阳能电池中理想因子与铁浓度之间的关系

摘要： 通过计算机模拟研究了含铁杂质的硅n?-p太阳能电池的理想因子值。研究采用铁浓度范围101?-1013 cm?3、基区掺杂水平范围101?-101? cm?3及温度范围290-340 K。使用太阳能电池电容模拟器(SCAPS)对这些器件进行数值模拟，采用双二极管模型提取理想因子。研究考虑了以下情况：(i)肖克利-里德-霍尔(SRH)复合；(ii)本征复合与SRH复合并存；(iii)未配对间隙铁原子；(iv)铁-硼对与间隙铁原子共存。提出了利用电流-电压曲线评估硅太阳能电池中铁浓度的算法，给出了分析表达式并计算了校准曲线。