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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 有序-无序型LiNbO3薄膜中的铁电极化旋转

    摘要： 铁电极化方向由晶体结构的对称性决定。因此，尽管这种调控有助于理解重要介电现象（如近形变相边界处的压电响应）及实际应用（如铁电存储器），但极化方向的旋转仍受到极大限制。本研究报道了无序-有序型LiNbO3薄膜中连续铁电极化旋转的观测结果。通过控制六方晶格框架内的锂空位浓度，可使薄膜中的自发极化从面外方向倾斜至面内方向。部分单斜相的出现归因于宏观反演对称性沿不同方向的破缺，以及面内方向铁电极化的产生。

    关键词： 二次谐波产生、空位工程、空间反演对称性破缺、铁电极化旋转、铌酸锂薄膜

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • x切铌酸锂薄膜集成电光调制器

    摘要： 集成光学有望彻底改变多个数据通信应用领域。高性能电光调制器的开发对该技术的可行性至关重要。本文设计、模拟并分析了x切铌酸锂薄膜中的单模电光调制器。详细分析了铌酸锂脊形波导的单模条件，优化了Y分支结构及电极与脊形波导间距的设计参数，测定了器件长度为10毫米的电光调制器半波电压。其半波电压-长度积约为2.2 V·cm，表明实现了高效电光调制。本研究有助于理解铌酸锂薄膜中的电光调制器结构，对研制高性能多功能电光调制器件具有重要价值。

    关键词： 电光调制器，铌酸锂薄膜，波导器件，集成光学

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • X切铌酸锂薄膜中质子交换集成电光调制器的设计与优化

    摘要： 在本研究中，我们设计、模拟并优化了0.5微米厚x切铌酸锂薄膜中的质子交换集成马赫-曾德尔调制器。本文讨论并比较了铌酸锂通道波导的单模条件、模式分布及光功率分布。对Y分支结构的设计参数和电极间距进行了优化，并研究了电光调制器半波电压长度积与质子交换区厚度的关系。

    关键词： 马赫-曾德尔、电光调制器、集成光学器件、质子交换、铌酸锂薄膜

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 基于晶体LiNbO3薄膜的柔性双模SAW应变传感器

    摘要： 本研究基于单晶薄膜铌酸锂（TF-LN）开发了柔性双模表面声波（SAW）传感器。通过数值建模研究了SAW传播特性及其对应变灵敏度的影响，数值与实验分析均表明：应变灵敏度与外加应变和SAW传播方向夹角相关，最大灵敏度出现在45°而非纵向方向。采用微加工技术制备的128°Y切向TF-LN（约50微米）作为压电基底，研制出具有瑞利波模和厚度剪切模（TSM）的双模SAW应变传感器。该传感器具有优异柔韧性，可实现±3000微应变超宽范围应变测量。在25~100℃范围内研究了温度对谐振频率和应变灵敏度的影响，发现双模具有相似的温度特性。研究提出利用双模拍频方法消除温度对应变传感的影响，实现芯片级温度干扰自补偿。结果表明该传感器在柔性电子和微系统领域具有重要应用潜力。

    关键词： 双模式、温度补偿、柔性应变传感器、铌酸锂薄膜、表面声波

    更新于2025-09-09 09:28:46

  • 离子切片LiNbO<sub>3</sub>薄膜中针尖诱导极化反转过程中移动畴壁前方的纳米畴成核

    摘要： 我们通过压电力显微镜研究了离子切片单晶LiNbO3薄膜在针尖诱导极化反转过程中的畴形成现象。通常在施加电压脉冲时，导电针尖下方仅会形成一个中心畴。然而在离子切片LiNbO3薄膜中，观察到畴扩展过程中中心畴壁前方会出现纳米畴环，这些纳米畴随后被中心畴吸收，导致畴形貌粗糙。这种独特形成过程可归因于畴壁外电场的局部极大值和界面处的极化钉扎效应，通过较低偏压擦除已反转畴的实验发现这些纳米畴难以消除，从而得到实验证实。

    关键词： 铌酸锂薄膜、压电力显微镜、极化反转、纳米畴

    更新于2025-09-04 15:30:14