温度程序升温和激光诱导脱附实验中共沉积铍层氘释放的CRDS建模

摘要： 采用速率方程和CRDS代码，在温度程序控制脱附（TPD）和激光诱导脱附（LID）实验条件下，对高功率脉冲磁控溅射（HiPIMS）共沉积的铍/氘层释放氘的过程进行建模。通过模拟TPD结果来拟合氘捕获参数，进而用于模拟LID过程。将TPD结果与JET-ILW和UCSD样品的等效数据进行对比。HiPIMS样品展现出与UCSD和JET样品不同的释放行为：在相同加热速率下，其释放峰更窄且无法使用同一组参数建模。当选择能复现TPD峰位置的特定扩散-捕获参数时，LID效率的建模结果与实验观测具有定性一致性。特别指出的是，除非表面温度超过铍的熔融阈值，否则低氘含量样品在激光加热过程中无法实现完全脱气。