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激光微结构铜揭示二氧化碳电催化还原的选择性模式
摘要： 局部（电）化学环境在很大程度上影响着铜（Cu）基催化剂上二氧化碳电还原过程中对烯烃或醇类等产物的选择性。然而，这一因素大多仅停留在定性认知层面。本研究通过结合一组具有明确几何结构的激光微结构铜电极的催化结果，以及包含体相和局部效应的精确建模，绘制出了局部pH值和二氧化碳浓度对主要产物的影响图谱。我们还展示了这些研究结果如何有助于器件工程应用。
关键词： 二氧化碳电还原、二氧化碳浓度、选择性模式、铜催化剂、激光微结构电极、局部pH值
更新于2025-09-23 15:21:01
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利用含铜催化热解法可控合成特殊芦苇叶状碳纳米结构以实现高性能场发射
摘要： 通过铜催化热解与氨气（NH3）共同作用下的化学气相沉积（CVD）法，成功制备出类芦苇叶状碳纳米结构?；谏げ问教至颂寄擅茁叮–NLs）的成核与生长机制。测量了碳纳米管（CNTs）、CNLs及CNT-CNL复合材料的拉曼光谱，发现其受气体类型显著影响。观测到CNT-CNL复合材料的场发射（FE）特性：开启电场低至0.73 V/μm，在2.65 V/μm电场下电流密度高达18.0 mA/cm2，优于CNTs和花状CNLs。这是因为CNTs间植的CNLs含有更多场发射位点。我们认为CNTs的独特场发射稳定性与CNLs缺陷对性能提升具有协同作用。
关键词： 碳纳米结构、催化热解、场发射性能、铜催化剂
更新于2025-09-23 01:24:34
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通过磁控溅射外延在锗衬底上生长单晶锗铅薄膜
摘要： 通过铜(I)催化的α-氧代炔烃与α-氧代重氮化合物的偶联反应，开发了一种新型的1,3-二氧代取代联烯直接合成方法。这是一种底物添加顺序可控的方法，通过末端添加α-氧代炔烃可化学选择性合成目标产物。
关键词： 炔烃、交叉偶联反应、丙二烯、铜催化剂、重氮化合物
更新于2025-09-23 01:59:18
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硅基单层石墨烯的原位合成及其在近红外光电探测器中的应用
摘要： 通过简单的热退火工艺实现了单层石墨烯在硅(Si)衬底上的直接集成，该工艺以顶部铜(Cu)层作为催化剂，插入的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为碳源。在Si衬底上旋涂PMMA碳源后，采用电子束蒸发法将Cu催化剂沉积在PMMA/Si上。随后，在简单的热退火过程中，通过PMMA的分解脱氢和Cu的催化作用，直接在Si上合成了石墨烯。此外，在优化的生长条件下，证明了单层石墨烯直接形成于Si衬底上。利用原位生长的石墨烯/Si异质结，在无需任何转移后处理的情况下，直接制备出了在1550 nm波长下具有高探测率((cid:1)1.1 (cid:3) 1010 cm Hz1/2 W(cid:4)1)和高响应度(50 mA W(cid:4)1)的近红外光电探测器。这种在硅上直接生长石墨烯的方法具有高度可扩展性，且与现有纳米/微米制造系统兼容，从而推动了石墨烯在微电子领域的应用。
关键词： 热退火、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、硅、光电探测器、铜催化剂、石墨烯
更新于2025-09-16 10:30:52
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生长条件对铜辅助等离子体还原法制备石墨烯及氧化石墨烯还原的影响
摘要： 石墨烯是一种单层石墨片，展现出诸多优异特性，有望在多个领域替代传统材料。要实现石墨烯的工业化应用，亟需开发能在任意基底上高通量合成的方法。通过氧化石墨烯（GO）进行化学剥离被认为是适合高通量合成的途径。然而还原氧化石墨烯的结晶度往往过低。虽然我们发现采用铜催化剂进行等离子体处理能从介电基底上的GO获得高结晶度石墨烯，但生长参数的影响尚不明确。本研究探究了该过程中CH4与H2气体比例对石墨烯结晶度的影响。通过优化气体比例，我们成功将GO还原并修复至载流子迁移率达到9.0×102 cm2 V?1 s?1的水平。
关键词： 氧化石墨烯、等离子体还原、石墨烯、结晶度、铜催化剂
更新于2025-09-09 09:28:46