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二硫化钨纳米片/铟镓锌氧薄膜异质结用于光电探测器、反相器及交流整流电路
摘要： 在玻璃衬底上制备并展示了一种结合二维WSe?纳米片与非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜的异质结PN二极管及反相器电路。该p-WSe?/n-IGZO异质结二极管呈现整流特性，在反向偏压下能有效响应红光（λ=620 nm）。由异质结PN二极管与IGZO场效应晶体管（FET）组合构成的二极管负载反相器，在5V供电电压下展现出约12的峰值电压增益。当对PN二极管施加反向偏压时，相同PN二极管与n-FET的集成结构显示出可见光探测能力。此外，经氧等离子体处理后的PN二极管因WSe?纳米片的空穴掺杂效应，其开/关整流比显著提升至≈5×10?。这种改进的PN二极管与IGZO FET集成后构成了交流整流电路。
关键词： 场效应晶体管（FET）、反相器、二硫化钨（WSe2）、铟镓锌氧（IGZO）、异质结PN二极管、交流整流器
更新于2025-09-23 15:19:57
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[2019年IEEE未来电子器件国际会议（IMFEDK）-日本京都（2019.11.14-2019.11.15）] 2019 IEEE关西未来电子器件国际会议（IMFEDK）-采用感应耦合等离子体溅射系统制备的高可靠性InGaZnO薄膜晶体管
摘要： 氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性及降低工艺温度的方法已成为严峻问题。为解决这些问题，我们研发了可独立控制射频（RF）功率以产生感应耦合等离子体（ICP）和施加于溅射靶材电压的感应耦合等离子体溅射设备。利用该设备，我们能在室温下沉积高密度氧化物半导体薄膜，并以此制备高可靠性薄膜晶体管。
关键词： 薄膜晶体管（TFT）、感应耦合等离子体（ICP）溅射、铟镓锌氧（IGZO）、可靠性
更新于2025-09-16 10:30:52