修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 通过旋涂金属纳米粒子墨水的自限制作用制备大面积亚200纳米导电电极阵列

    摘要： 本文展示了利用商用银墨水（粒径50纳米）制备宽度小于200纳米金属导线的技术，其线宽比柔性电子领域典型的低分辨率喷墨打印和丝网印刷技术细100倍。通过结合预图案化聚合物基底上的旋涂工艺与闪光灯退火技术，纳米颗粒融合形成具有良好导电性的导线。采用该方法时，由于粒子含量适配稀释、V形槽自限制效应、溶剂蒸发过程中的线宽收缩以及烧结作用，可从2微米或更窄的V形槽制备出厚度不足150纳米的细线。纳米压印后，聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）制成的沟槽可通过热回流平滑处理而不影响导线。长度300微米、宽度400纳米导线的电阻率与传统喷墨打印的10-50微米宽导线相当。

    关键词： 自限制、V形槽、闪光灯退火、纳米压印光刻、银纳米颗粒

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 离子注入与毫秒级闪光灯退火制备GaAs浅结的形成与表征

    摘要： 随着纳米电子学对激进微缩化的需求增长，通过将高迁移率半导体（如III-V族化合物半导体）与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术集成，可实现进一步发展。本研究展示了分别利用硫（S）和锌（Zn）离子注入在砷化镓（GaAs）中形成浅结n-p和p-n结，并采用毫秒级闪光灯退火（FLA）工艺。二次离子质谱（SIMS）测得的掺杂元素分布表明，FLA工艺能有效抑制掺杂剂扩散。同时，毫秒级退火足以使注入层再结晶并激活掺杂剂。通过电流-电压特性证实了p-n和n-p结的形成，在n型GaAs:Zn样品中反向/正向电流比可达1.7×10^7。

    关键词： 砷化镓、离子注入、浅结、闪光灯退火

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 通过闪光灯退火技术在锗(100)衬底上获得的外延锰锗(100)层（化学式为Mn?Ge?）

    摘要： 已证实Mn5Ge3薄膜是锗基自旋电子器件中极具前景的自旋注入材料。迄今为止，Mn5Ge3仅能在Ge(111)衬底上实现外延生长。本文报道了在Ge(100)衬底上生长外延Mn5Ge3薄膜的研究。该Mn5Ge3薄膜通过锰与锗在常压下经20毫秒闪光灯退火实现的亚秒级固相反应合成。单晶Mn5Ge3具有铁磁性，居里温度为283K。六方Mn5Ge3的c轴与磁易轴均平行于Ge(100)表面。毫秒级闪蒸外延技术为制备完全兼容CMOS工艺的锗基自旋注入器提供了新途径。

    关键词： 外延生长、自旋电子器件、锗（100）衬底、闪光灯退火、Mn5Ge3

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 超快退火调控锰注入锗中的调幅纳米分解

    摘要： 本工作采用毫秒级闪光灯退火对锰离子注入的锗进行再结晶处理。通过系统研究其结构与磁学特性，发现闪光灯退火会形成相混合态——自旋分解产生的富锰铁磁团簇分布于随机排布锰原子的顺磁类似基体中。透射电镜分析及磁化强度测量定量证实：当退火能量密度从46提升至50再增至56焦耳/平方厘米时，锰原子会发生团簇偏聚。X射线吸收光谱表明，锗中稀薄锰离子呈d5电子构型。该锰掺杂锗呈现顺磁性，其磁场依赖的X射线磁圆二色谱信号未饱和即为佐证。本研究揭示了旋节分解的发生机制及其对富锰铁磁锗锰纳米团簇形成的影响。

    关键词： 闪光灯退火、离子注入、旋节分解、锗-锰纳米团簇

    更新于2025-09-11 14:15:04