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基于旋转与往复闪烁体的MAST-U托卡马克快离子损失探测器
摘要： 这里介绍了兆安球形托卡马克升级装置（MAST-U）首台快离子损失探测器（FILD）的设计与独特特性。该FILD探头安装在可轴向和角度调节的机械装置上，能独立调整探头（即准直器）的朝向[0°至90°]和径向位置[1.40米至1.60米]，从而在不同q95参数的多种等离子体工况下最大化探测器的速度空间覆盖范围。探测器三维结构经过优化设计，可检测中性束注入器产生的快离子损失。通过轨道模拟计算撞击图谱并预测预期信号，结果显示其速度空间覆盖范围为：回旋半径[4厘米至13厘米]，俯仰角[30°至85°]，涵盖整个中性束离子能量区间。光学系统将提供对闪烁体的直接观测，并通过双摄像头同步检测实现高时空分辨率。MAST-U FILD将通过快离子损失的绝对测量，揭示全球两大球形托卡马克装置中占主导地位的快离子输运机制。
关键词： 快离子损失探测器，MAST-U装置，中性束注入器，闪烁体，托卡马克
更新于2025-09-09 09:28:46
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用于重复频率质子成像的整体式有机闪烁体的固有分辨率极限
摘要： 重复频率诊断技术对于当前和未来专注于高能量密度（HED）现象研究的激光装置至关重要。高能量密度系统中的电磁场是学界特别关注的焦点，但由于涉及的高质量密度特性，这类诊断本身具有极大难度。通过利用能穿透致密等离子体的高能质子，可通过检测质子与电磁场发生洛伦兹相互作用导致的质子注量变化来实现场可视化。传统质子成像检测介质为一次性使用且难以适配重复频率运行模式。本文提出采用基于闪烁体的探测器，并通过表征其能量响应与空间响应来论证该方案作为重复频率质子成像及其他诊断技术可行方案的适用性。
关键词： 质子成像，诊断，闪烁体
更新于2025-09-09 09:28:46
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通过改进上InGaN/GaN量子阱界面技术显著抑制InGaN量子阱中In的脱附
摘要： 本研究的目的是阐明不同生长模式和势垒组分如何影响量子阱（QW）特性及其光致发光（PL），并寻找最佳量子阱覆盖工艺以抑制量子阱中铟（In）的脱附，同时维持量子阱的PL效率。研究重点聚焦于采用不同量子阱与势垒外延温度时，InGaN/GaN量子阱结构中上部量子阱界面的生长工艺流程。我们发现：当量子阱形成后的生长过程不中断，而是在温度爬升阶段立即通过引入少量铟前驱体继续生长（铟）氮化镓（(In)GaN）覆盖层时，可获得最优的光致发光效果。就PL性能而言，量子阱间最优势垒为纯氮化镓（GaN）。SIMS和HRTEM结果表明，采用该工艺流程可显著抑制InGaN脱附现象——在相同量子阱生长参数下，相比常规使用的薄GaN低温覆盖?；ぱ?，不仅实现了三倍更高的铟浓度和两倍更厚的量子阱，且未导致PL强度下降。此外，对于在温度爬升阶段覆盖量子阱层的样品，其缺陷带几乎完全消失，由此可推断该缺陷带与上部量子阱界面质量相关。
关键词： A1. 接口，A3. 量子阱，B1. 氮化物，A3. 金属有机气相外延，B2. 闪烁体
更新于2025-09-04 15:30:14
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O12:铈闪烁体
摘要： 测量了Gd3Al2Ga3O12(GAGG):Ce单晶闪烁体在-100℃至室温范围内对0.662 MeV γ射线和5.48 MeV α射线的光产额(LY)及衰减动力学特性。随着温度降低，γ射线的光产额提升20%，在约-70℃时达到最大值；α射线的光产额则单调递增50%。上升时间和衰减时间均逐渐延长。此外结果表明，脉冲形状甄别技术在室温下效果最佳。
关键词： 脉冲形状甄别、光产额、温度依赖性、闪烁体、钆铝镓石榴石（GAGG）:铈、粒子探测器、衰减时间
更新于2025-09-04 15:30:14
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研究硅光电倍增管在外部电场中的性能
摘要： 我们报告了硅光电倍增管（SiPM）光传感器在高达30千伏/厘米的电场强度和149开尔文温度下的性能表现，并与无外部电场环境中的性能进行了对比。本研究所用SiPM器件在暴露于外部电场时，其增益、光子探测效率及关联脉冲率均在预估误差范围内保持稳定，且器件表面未出现可见损伤。
关键词： 低温探测器、双贝塔衰变探测器、紫外/可见光/红外光子探测器（固态）（PIN二极管、雪崩光电二极管、硅光电倍增管、盖革模式雪崩光电二极管、电荷耦合器件、电子轰击CCD、电子倍增CCD等）、稀有液体探测器（闪烁体、电离、双相）
更新于2025-09-04 15:30:14