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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 非对称官能化锡烯中高温陈绝缘体与半金属边缘态的预测

    摘要: 量子反?;舳≦AH)效应实际应用面临的主要障碍是缺乏兼具可观非平庸带隙、高居里温度与高载流子迁移率的合适二维材料。基于第一性原理计算,我们在此提出通过非对称功能化的二维SnHN和SnOH晶格实现这些优异特性。自旋极化能带结构显示:SnOH单层呈现自旋无带隙半导体(SGS)特征,而SnNH在压缩应变下可转变为SGS。蒙特卡洛模拟预测SnOH的居里温度达266K,与室温相当。当允许自旋与轨道自由度耦合时,两个体系均成为具有完全自旋极化半金属边缘态和大带隙QAH绝缘体,其费米速度高达4.9×10^5 m·s^-1。这些成果为设计第四族蜂窝晶格拓扑场效应晶体管开辟了新途径。

    关键词: 拓扑的、锡烯、量子反?;舳в?、无自旋能隙半导体、陈绝缘体

    更新于2025-09-22 13:37:49

  • 钙钛矿衍生的4d和5d氧化物褶皱蜂窝晶格中的陈绝缘体相与Z2拓扑绝缘相

    摘要: 基于包含库仑排斥参数U的密度泛函理论计算,我们研究了(X=4d与5d阳离子)的(LaXO3)2/(LaAlO3)4(111)异质结构的拓扑性质。在保持P321对称性的亚稳态铁磁相中,LaTcO3和LaPtO3分别以C=2和1的陈绝缘体(CI)形式出现,在LaAlO3横向晶格常数下具有41和38 meV的带隙。贝里曲率、自旋纹理及边缘态为CI态的本质提供了更多见解。当X=Tc时,CI相在拉伸应变下进一步稳定;而当X=Pd和Pt时,横向晶格常数从aLAO增大至aLNO会发生位点歧化。X=Pt的CI相对哈伯德U参数表现出强依赖性,较高U值导致的能隙开启机制改变会引起符号反转。我们讨论了与先前研究的(X2O3)1/(Al2O3)5(0001)蜂窝状刚玉层的相似性。此外,非磁性体系X=Mo和W被确认为aLAO下潜在的Z2拓扑绝缘体候选材料,其带隙分别为26和60 meV。计算得到的边缘态和Z2不变量证实了这些非平庸拓扑特性。

    关键词: 密度泛函理论、钙钛矿衍生氧化物、陈绝缘体、Z2拓扑绝缘体、蜂窝晶格

    更新于2025-09-11 14:15:04