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oe1(光电查) - 科学论文

18 条数据
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  • 基于雾化喷雾法制备硫化铅（PbS）薄膜异质结（FTO/CdS/PbS/Ag）太阳能电池及其表征

    摘要： 本研究采用简易喷雾法制备PbS薄膜，重点研究了其关键特性。X射线衍射结构分析表明沉积的PbS薄膜具有立方晶系多晶结构。不同摩尔浓度下获得的晶粒尺寸在41至55纳米之间变化。扫描电镜形貌分析显示制备的PbS薄膜表面晶粒分布均匀。测得带隙值随摩尔浓度变化从1.8电子伏特降至1.51电子伏特。光致发光强度在约580纳米处较强，这与近带边发射相关?；舳вΦ缪Р馐灾な邓票∧ぞ哂衟型导电性，沉积薄膜的电阻率和载流子浓度分别为2.92×103 Ω·cm和4.83×1013 cm?3。此外，研究者制备了FTO/n-CdS/p-PbS/Ag结构异质结太阳能电池，其转换效率约为0.39%。

    关键词： 扫描电子显微镜，硫化铅，异质结器件，霍尔效应，光致发光

    更新于2025-11-21 11:18:25

  • Cu<sub>1?x</sub>Fe<sub>x</sub>O纳米粉体的合成、形貌及光学与电学性能

    摘要： 通过简单的低温溶胶-凝胶法合成了系列Cu1?xFexO（x = 0、0.027、0.055、0.097和0.125）纯相及铁掺杂氧化铜纳米颗粒。采用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、能量色散X射线光谱（EDX）、漫反射光谱（DRS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、霍尔效应测试仪及电流-电压（I-V）特性等多种技术对样品进行表征。FESEM分析显示随着CuO中铁浓度增加，形成盘状结构且晶粒尺寸增大。EDX证实铁已掺入CuO晶格。纯相与铁掺杂CuO样品的FTIR结果确认了单斜晶系CuO的形成。通过漫反射光谱估算的光学带隙显示，铁取代导致带隙值增大?；舳饬勘砻魉醒肪氏謕型主导导电性，且载流子密度随铁掺杂量增加而降低。纯相与铁掺杂CuO纳米颗粒的I-V特性展现出肖特基二极管的整流行为。

    关键词： 缺陷态、霍尔效应、肖特基二极管、阳离子空位、铁掺杂氧化铜

    更新于2025-11-19 16:56:35

  • 一种适用于分析4H碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

    摘要： 碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是下一代电力电子技术的关键器件。然而，界面陷阱的存在阻碍了从三端特性中精确确定器件参数。本文提出一种方法，与以往评估方案不同，该方法明确考虑这些缺陷。我们引入了一种针对SiC/SiO?特定界面陷阱谱的易处理参数化模型，该模型反映了已知数据体系?；诖?，我们开发了一种分析方法，旨在从简单的三端特性中精确确定器件参数。为验证该方法，我们研究了具有显著不同缺陷密度的MOSFET。所得参数——载流子浓度、迁移率和阈值电压——与对同一器件进行的霍尔效应测量结果高度吻合，避免了传统评估技术固有的系统误差。通过这种改进方案，即使封装后的4H-SiC功率MOSFET也能得到有效表征，从而加速节能电力电子技术的创新周期。

    关键词： 迁移率、碳化硅、霍尔效应、界面陷阱、阈值电压、MOSFET

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 当接近能带结构中的鞍点时，PbTe的态密度急剧增加

    摘要： PbTe是一种重要的中温区热电材料，其无量纲优值系数zT已通过能带工程等多种方法得到提升。本研究通过霍尔效应、量子振荡、比热及电子探针分析等实验手段，探究了掺杂"理想"受主元素钠至溶解度极限的重掺杂PbTe电子结构演化过程。我们发现当电子结构在约180meV处偏离Kane型色散关系时，会出现两个现象学变化：霍尔效应场依赖性的定性改变（表明高场极限增大）与费米面拓扑结构的转变；以及态密度随能量急剧增加。通过分析三种可能的成因后，我们认为最可能的根源是能带结构鞍点附近L能谷的非椭球性畸变——这一结论直接得到量子振荡测量结果的证实。与密度泛函理论计算对比表明，这种电子结构演化可能是PbTe具有高热电势的关键因素。

    关键词： 能带结构、碲化铅、霍尔效应、态密度、热电、量子振荡

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 分子束外延法在GaAs衬底上生长的中波和长波InAs/GaSb超晶格的电学特性

    摘要： 在本工作中，我们报道了通过分子束外延（MBE）系统在GaAs（001）衬底上生长的中波（MWIR）和长波红外（LWIR）InAs/GaSb II型超晶格（T2SLs）的面内电输运特性?；诮缑媸湔罅校↖MF）技术生长GaSb缓冲层，降低了T2SL与GaAs衬底间巨大的晶格失配。为补偿InAs/GaSb T2SL中的应变，我们采用特殊快门序列获得了类InSb和类GaAs界面。研究发现，MWIR InAs/GaSb T2SL在低温和高温下分别呈现p型和n型导电特性。值得注意的是，导电转变温度与生长温度相关。另一方面，LWIR T2SL的导电仅由电子主导。需要强调的是，LWIR T2SL在低温下的主要散射机制是界面粗糙度散射机制。

    关键词： 霍尔效应、高分辨率X射线衍射、II型超晶格、分子束外延

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 采用洛伦兹模型比较铝掺杂氧化锌薄膜的光学与电学特性

    摘要： 本研究中，采用离子束共溅射法在室温下对锌(Zn)和铝(Al)金属靶材进行不同掺杂量(0至13原子%)的氧化锌(ZnO)薄膜掺铝处理。掺铝氧化锌(AZO)薄膜在紫外和近红外波段的透过率较低。通过双洛伦兹振荡器光谱椭偏仪分析各薄膜的两个低透过率区域，成功获取了其电学与光学特性。最佳AZO薄膜以1.5原子%的铝掺杂量和0.12毫托的氧分压沉积，其电阻率最低(7.8×10?? Ω·cm)，且在可见光区域具有>80%的高透过率。椭偏仪测得的自由载流子浓度与迁移率与霍尔效应测量结果存在差异，该现象源于本研究所用AZO薄膜约20纳米的小晶粒尺寸导致的晶界散射效应。

    关键词： 椭圆偏振法、晶界散射、霍尔效应、洛伦兹振荡器、掺铝氧化锌、氧化锌

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 透明导电材料（材料、合成、表征、应用）|| 用范德堡法表征电学性能

    摘要： 范德堡法是测量各种材料电学特性最常用的技术之一，对透明导电材料的表征同样有效。该方法由范德堡提出，用于测量任意形状样品的电阻率和霍尔效应。虽然样品形状不限，但必须保持平整，其上安装的电极应足够小且位于样品边缘。此外，样品内部不得存在孤立孔洞。

    关键词： 范德堡法、电阻率、电学性能、霍尔效应、透明导电材料

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 过渡金属纳米杂化物作为异质结构量子点敏化太阳能电池的高效稳定对电极：一项尝试

    摘要： 第三代太阳能电池中，对电极是关键组件。本研究探索了一种简单策略：利用石墨烯的同构类似物——二维二硫化钼与硫化铜形成纳米杂化材料作为对电极。由CdSe/CdS量子点构成的异质结构光阳极与这种纳米杂化对电极相结合，显著提升了电流密度和开路电压。由于协同效应，所设计的异质结构和对电极表现出优异性能与良好稳定性，为量子点太阳能电池实现高效率带来了新希望。

    关键词： 霍尔效应、CuS-MoS2纳米杂化物、CdSe/CdS异质结构、迁移率

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 纯NiO及NiO:Ag薄膜的脉冲激光沉积电学特性

    摘要： 将介绍在玻璃基板上以不同掺杂浓度（1wt%、2wt%、3wt%和4wt%）于室温沉积并在450°C退火温度下处理的纯NiO及NiO:Ag薄膜的电学特性。通过X射线衍射研究了样品的结构特性，并利用扫描电镜观察了沉积样品的表面形貌。霍尔效应测试结果表明所有薄膜均呈p型导电。随着退火温度升高和掺杂比例增加，霍尔迁移率降低，而载流子浓度与电导率均升高，由此可判定其半导体行为；同时根据直流电导率随掺杂浓度增加而下降的激活能变化，可推知载流子的输运机制。

    关键词： 霍尔效应、电导率、NiO:Ag薄膜、脉冲激光沉积

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 掺杂不同杂质锗中的霍尔效应

    摘要： 研究了不同杂质对n-Ge〈Sb〉单晶中电子过程动力学的影响。在n-Ge〈Sb + Si〉晶体以及掺杂稀土元素的锗晶体中，在以杂质散射为主导的区域（77K温度下），检测到电荷载流子迁移率的显著降低，并对此效应作出了解释。

    关键词： 霍尔效应、载流子迁移率、锗、霍尔系数、杂质

    更新于2025-09-22 18:13:17