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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 银镓锗多晶合成、晶体生长、结构及光学特性研究：AgGaGe<sub>n</sub>S<sub>2(n+1)</sub>（n=2,3,4和5）中红外激光应用单晶

    摘要： AgGaGenS2(n+1)晶体是一系列用于中红外激光应用的非线性光学材料四元体系，能将1.064μm泵浦信号（Nd:YAG激光器）转换为4-11μm激光输出，但其中仅AgGaGeS4受到最多关注，其余具有潜在价值的AgGaGenS2(n+1)晶体其理化性质可通过n值调控。本研究采用气相输运与机械振荡法结合不同冷却工艺合成了AgGaGenS2(n+1)（n=2,3,4,5）多晶，高分辨率X射线衍射分析与精修表明四种化合物均结晶于非中心对称正交晶系Fdd2空间群，从而具备优异非线性光学特性，且四面体结构随n值变化产生的畸变导致理化性质差异。通过改进布里奇曼法生长出直径15mm、长度20-40mm的AgGaGenS2(n+1)单晶。利用XPS光谱讨论了AgGaGenS2(n+1)的结构与组分，通过拉曼光谱分析了四面体簇的三种振动模式?；舳饬肯允菊庑┑ゾ猵型半导体，载流子浓度随n值增大而降低。所有生长样品在透光范围内透过率均超60%，其中AgGaGe2S6在1064nm处透过率达70%，生长晶体的带隙从AgGaGe2S6的2.85eV增至AgGaGe5S12的2.92eV。经热退火处理后，2.9μm、4μm和10μm处的吸收峰消除，带隙范围变为2.89-2.96eV。

    关键词： 霍尔测量、非线性光学材料、热退火处理、气相传输、AgGaGe?S?(n+1)、布里奇曼法、拉曼光谱、中红外激光应用、X射线光电子能谱、机械振荡法

    更新于2025-11-14 15:27:09

  • 拉曼光谱法测定未掺杂GaAsBi中的空穴浓度

    摘要： 采用分子束外延技术在GaAs衬底上生长的未掺杂GaAs1-xBix（0<x<0.037）的拉曼光谱进行了研究。随着Bi组分增加，我们发现纵向光学声子-空穴-等离子体耦合（LOPC）模式首先出现在未屏蔽纵向光学（ULO）声子频率附近，随后向横向光学（TO）声子频率方向移动。通过低温偏振拉曼测量证实了TO与ULO声子之间出现的新振动模式（~287 cm-1），且其对应散射强度与GaAsBi中Bi组分呈线性比例关系。利用LOPC/ULO拉曼强度比确定的空穴浓度随Bi含量从约6.5×1016增至约2.8×1017 cm-3，测量结果与霍尔测量值一致。此外，借助功率依赖拉曼光谱讨论了激发激光功率对空穴密度估算的影响。

    关键词： 霍尔测量、LO声子-等离子体激元模式、拉曼光谱、GaAsBi、空穴浓度

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 传感器、电路与仪器系统（2018）|| 非晶硅锗光电探测器光电特性研究

    摘要： 开发电子设备的成本考量至关重要。降低光伏器件和探测器生产成本的一个简单方法是采用非晶硅和锗等低成本材料。这两种半导体具有不同的光电特性，如能隙、光电导率和吸收系数。通过将硅与特定比例的锗混合形成合金，可制备出具有更优电子特性和光电导率的探测器。采用热真空蒸发技术制备了多种不同锗含量的非晶硅锗合金薄膜，计算并分析了样品的导电机制与激活能。对这些样品的I-V特性、光生电流及探测率进行了测量与讨论，并通过霍尔测量计算了样品的霍尔I-V特性、霍尔迁移率、载流子浓度及类型鉴定。

    关键词： 非晶硅锗光电探测器、光电导率、探测率、霍尔测量、激活能、导电机制

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • AIP会议录 [美国物理联合会出版社 光电材料与薄膜：OMTAT 2013 - 印度喀拉拉邦科钦（2013年1月3-5日）] - 退火处理对脉冲激光沉积BaPbO3薄膜结构与电学性能的影响

    摘要： 采用脉冲激光沉积技术在600℃和0.1毫巴氧分压条件下，于熔融石英基底上制备了钙钛矿型BaPbO3（BPO）导电薄膜，该材料可作为铁电/可调谐应用的潜在电极。薄膜的结构与电学性能对退火温度及高氧环境具有依赖性。通过X射线衍射（XRD）和配备霍尔测试装置的标准四探针法，研究了生长条件对BPO薄膜晶体结构、电阻率及载流子浓度随退火变化的依赖关系。采用原子力显微镜（AFM）分析了表面形貌。未退火的沉积态薄膜表现出最低电阻率1.6×10?2欧姆·厘米和4.1电子伏特的带隙。

    关键词： BPO、PLD、霍尔测量

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 电化学法制备的CuInTe2薄膜的输运特性

    摘要： CuInTe?（CIT）薄膜通过标准三电极体系，在75°C水浴中以-0.7 V和-0.8 V（相对于Ag/AgCl参比电极）电沉积于氟掺杂氧化锡（FTO）玻璃表面涂覆的硫化镉薄膜上。沉积层在空气环境中经约80°C热处理60分钟。X射线衍射图谱和拉曼分析证实热处理后形成了黄铜矿结构CIT薄膜。热处理后CIT薄膜的光学带隙分别为-0.7 V和-0.8 V沉积条件下的~1.0 eV与0.95 eV。场发射扫描电子显微镜确认了CIT层在CdS涂层FTO基底上致密且附着良好的生长状态。通过研究电流密度-电压（J-V）和电容-电压（C-V）特性来评估材料电子质量，以开发适用于太阳能电池的CIT层。低温热处理使电流密度提升两个数量级。C-V测量显示明显的耗尽区与积累区特征：未热处理样品（-0.7 V和-0.8 V沉积）的内建电位分别为~60 mV和145 mV，热处理后升至159 mV和210 mV；CIT薄膜电容随偏压增大而增加。热处理样品的耗尽层宽度为-0.7 V和-0.8 V沉积条件下的~20 nm与200 nm。因此，-0.8 V沉积样品展现出最优电子性能，适合光电器件应用。

    关键词： C-V测量、霍尔测量、电导率、电沉积、CuInTe2

    更新于2025-09-10 09:29:36