偏置GaAs/AlAs非对称五量子阱超晶格的光学性质与载流子输运

摘要： 研究了GaAs/AlAs非对称五量子阱超晶格（AQQW-SL）的光致发光（PL）特性和载流子输运行为。由于AQQW之间由极薄的AlAs势垒分隔，基于GaAs量子阱中Γ态与AlAs势垒中X态波函数的强耦合效应，可预期多种载流子输运现象。将20周期AQQW嵌入pin二极管的i层后，在740nm附近观测到基态Γ态与重空穴（hh）态间的PL信号；而在约6V电压下于665nm处出现另一PL分支。通过Γ态与X态波函数的数值计算表明：当电压达到6.1V时，电子会从厚AlAs势垒中的X态（X11）输运至第三量子阱的Γ态（Γ31）。因此665nm处的PL信号可归因于Γ31与hh11态的复合发光。